MPSA44-BK
MPSA44-BK NPN
Version 2011-07-07 High voltage Si-epitaxial planar transistors Hochspannungs-Si-Epitaxial Planar-Transistoren Power dissipation Verlustleistung Plastic case Kunststoffgehäuse
NPN
625 mW TO-92 (10D3) 0.18 g
4.6 4.6±0.1
±0.1
E BC
min 12.5
Weight approx. Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Special packaging bulk Sonder-Lieferform Schüttgut
2 x 1.27
Dimensions / Maße [mm]
Maximum ratings (TA = 25°C) Collector-Emitter-volt. - Kollektor-Emitter-Spannung Collector-Base-voltage - Kollektor-Basis-Spannung Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung Power dissipation – Verlustleistung Collector current – Kollektorstrom (dc) Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur B open E open C open VCEO VCBO VEBO Ptot IC
Grenzwerte (TA = 25°C) MPSA44 400 V 500 V 6V 625 mW 1) 300 mA -55...+150°C -55…+150°C
Tj TS
Characteristics (Tj = 25°C) Min. Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom IE = 0, VCB = 400 V Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom IB = 0, VEB = 4 V IC = 1 mA, IB = 0.1 mA IC = 10 mA, IB = 1 mA IC = 50 mA, IB = 5 mA MPSA44
2
Kennwerte (Tj = 25°C) Typ. – – – Max. 100 nA 100 nA 400 mV 500 mV 750 mV
MPSA44
ICB0 IEB0 VCEsat VCEsat VCEsat
– – –
Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung ) MPSA44
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Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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MPSA44-BK Characteristics (Tj = 25°C) Min. Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung 1) IC = 10 mA, IB = 1 mA DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis VCE = 10 V, IC = 1 mA VCE = 10 V, IC = 10 mA VCE = 10 V, IC = 50 mA VCE = 10 V, IC = 100 mA Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität VCB = 20 V, IE = ie = 0, f = 1 MHz Thermal resistance junction – ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Recommended complementary PNP transistors Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren MPSA44 CCB0 RthA – – < 200 K/W 2) MPSA94 7pF hFE hFE hFE hFE 40 50 45 40 – 200 – – – – – – VBEsat – – 750 mV Kennwerte (Tj = 25°C) Typ. Max.
120 [%] 100
80
60
40
20 Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C]
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Power dissipation versus ambient temperature ) 1 Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )
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Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
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