MR820

MR820 ... MR828 MR820 ... MR828 Fast Silicon-Rectifiers Schnelle Silizium-Gleichrichter Version 2006-04-26 Nominal Current Nennstrom Ø8 ±0.1 5A 50...1000 V Ø 8 x 7.5 [mm] P600 Style 1.3 g Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack ±0.5 62.5 Type Ø 1.2 ±0.05 Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings Type Typ MR820 MR821 MR822 MR824 MR826 MR828 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 50 100 200 400 600 800 TA = 50°C f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C IFAV IFRM IFSM i2t Tj TS 7,5 ±0.1 Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 50 100 200 400 600 800 5 A 1) 60 A 1) 300/330 A 450 A2s -50...+150°C -50...+175°C Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 MR820 ... MR828 Characteristics Forward Voltage – Durchlass-Spannung Leakage current – Sperrstrom Reverse recovery time Sperrverzug Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht Tj = 25°C Tj = 25°C IF = 5 A VR = VRRM VF IR trr RthA RthL Kennwerte < 1.2 V < 25 µA < 300 ns < 16 K/W 1) < 5 K/W IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A 120 [%] 100 103 [A] 102 80 10 Tj = 125°C 60 40 1 20 IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] 1 Tj = 25°C IF 10 -1 300a-(5a-1.2v) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2