MUR160

MUR130 ... MUR160 MUR130 ... MUR160 Superfast Effcient Si-Rectifier Diodes Superschnelle Hocheffizienz-Si-Gleichrichterdioden Version 2011-10-24 Nominal current Nennstrom Ø 2.6 -0.1 1A 300...600 V DO-41 DO-204AL 0.4 g Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack 62.5 -2.5 +0.5 Type Ø 0.77±0.07 Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings and characteristics Type Typ MUR130 MUR140 MUR160 Repetitive/Surge peak reverse voltage Periodische-/ Stoßspitzensperrspannung VRRM / VRSM [V] 300 400 600 Reverse recovery time Sperrverzugszeit trr [ns] 1) < 50 < 50 < 50 TA = 75°C f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C 5.1-0.1 Grenz- und Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] 2) < 1.25 < 1.25 < 1.25 IFAV IFRM IFSM i2t Tj TS Tj = 25°C VR = VRRM Tj = 125°C VR = VRRM IR IR RthA RthL 1 A 1) 6 A 1) 32/35 A 5 A2s -50...+175°C -50...+175°C < 5 µA < 100 µA < 45 K/W 1) < 15 K/W Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Leakage current Sperrstrom Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht 1 2 1 Tj = 25°C, IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A Tj = 25°C, IF = 1A Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 MUR130 ... MUR160 120 [%] 100 1 80 Tj = 25°C 10 [A] Tj = 125°C 60 0.1 40 10-2 20 IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] IF 10-3 VF Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) [V] Rated forward current versus ambient temperature1) 1 Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) 102 [µA] 101 Tj = 125°C 50 [pF] 40 30 1 Tj = 100°C 20 10-1 Tj = 25°C 10 Cj IR 10 -2 0 VRRM 40 60 80 100 [%] 0 VR [V] Junction capacitance vs. reverse voltage (typical) Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Sperrspg. (typ.) Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung 102 [A] 10 îF 1 1 10 10 2 [n] 10 3 Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG