MURF2060CT

MURF2060CT MURF2060CT Superfast Efficient Rectifier Diodes Superschnelle Gleichrichter für hohen Wirkungsgrad IFAV = 2x 10 A VF125 ~ 1.25 V Tjmax = 175°C VRRM = 600 V IFSM = 90/100 A trr1 < 25 ns Version 2019-12-13 Typical Applications Rectification of higher frequencies, High efficient switching stages Free-wheeling diodes Commercial grade 1) 10.1±0.3 2.7±0.2 2.8±0.2 ±0.2 15 Type Typ 8.4 ±0.2 4.5 3.8 ±0.3 1 2 3 13.6 1.3 1 2 3 RoHS Pb EE WE 0.6±0.1 ±0.3 ±0.2 2.6 Features Isolated package Dual diode, common cathode Very low reverse recovery time Low forward voltage drop Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) ±0.3 Ø 3.2 EL V ITO-220AB Typische Anwendungen Gleichrichtung hoher Frequenzen Wandlerstufen mit hohem Wirkungsgrad Freilaufdioden Standardausführung 1) Besonderheiten Isoliertes Gehäuse Doppeldiode, gemeinsame Kathode Sehr niedrige Sperrverzugszeit Niedrige Fluss-Spannung Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanische Daten 1) Mechanical Data 1) 0.7±0.2 ±0.1 2.54 Dimensions - Maße [mm] Packed in tubes 50 Verpackt in Stangen Weight approx. 1.8 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL N/A Maximum ratings 2) Type Typ Grenzwerte 2) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 600 600 MURF2060CT Average forward current Dauergrenzstrom Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung Rating for fusing – Grenzlastintegral TC = 85°C IFAV 10 A 3) 20 A 4) f > 15 Hz TC = 85°C IFRM 18 A Half sine-wave Sinus-Halbwelle 50 Hz (10 ms) 60 Hz (8.3 ms) IFSM 90 A 2) 100 A 2) t < 10 ms TA = 25°C i2t 40 A2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS Characteristics Leakage current Sperrstrom Kennwerte Tj = 25°C Tj = 125°C Junction capacitance – Sperrschichtkapazität VR = VRRM IR < 1 µA < 100 µA VR = 4 V Cj typ. 40 pF Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse 1 2 3 4 -50...+175°C -50...+175°C RthC < 6.0 K/W 3) Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben Per diode − Pro Diode Per device (parallel operation) − Pro Bauteil (Parallelbetrieb) © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 MURF2060CT Characteristics Kennwerte Type Typ Reverse recovery time Sperrverzugszeit Forward voltage Durchlass-Spannung trr [ns] 1) trr [ns] 2) @ Tj VF [V] < 25 < 50 25°C typ. 1.25 < 2.0 MURF2060CT @ IF [A] 10 10 @ Tj 150°C 25°C 100 120 [%] [A] 100 10 80 Tj = 150°C 60 1 Tj = 25°C 40 10-1 20 IF IFAV 0 0 TC 100 50 150 10-2 [°C] VF [V] Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Rated forward current versus case temperature Zul. Richtstrom in Abh. von der Gehäusetemp. 102 [µA] 10 1 Tj = 125°C Tj = 100°C 1 10-1 Tj = 25°C IR 10-20 VRRM 40 60 80 100 [%] Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A IF = 1.0 A, di/dt = -50 A/µs, VR = 30 V http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG