P1200G

P1200A ... P1200G P1200A ... P1200G Silicon Rectifier Diodes Silizium-Gleichrichterdioden Version 2012-10-01 Nominal Current Nennstrom ±0.1 ±0.1 Type 7,5 62.5 ±0.5 Ø8 Ø 1.2 ±0.05 Dimensions - Maße [mm] 12 A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50...400 V Plastic case Kunststoffgehäuse Ø 8 x 7.5 [mm] P600 Style Weight approx. Gewicht ca. 1.3 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] P1200A 50 50 P1200B 100 100 P1200D 200 200 P1200G 400 400 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 50°C IFAV 12 A 1) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 80 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 400/450 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t Junction temperature – Sperrschichttemperatur at reduced reverse voltage bei reduzierter Sperrspannung VR ≤ 80% VRRM VR ≤ 20% VRRM Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 800 A2s Tj Tj -50...+150°C -50...+200°C TS -50...+175°C Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 P1200A ... P1200G Characteristics Kennwerte Forward Voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C Tj = 25°C IF = 5 A IF = 12 A VF VF < 0.84 V < 0.95 V Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 10 µA Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 10 K/W 1) Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht RthL < 2 K/W 120 3 10 [%] [A] 100 Tj = 125°C 102 80 Vr < 20% Vrrm 40 Vr < 80% Vrrm 1 20 IF IFAV 0 10 2 400a-(5a-0,8v) -1 0 TA 50 100 150 [°C] Rated forward current versus ambient temperature1) 1 Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) 1 Tj = 25°C 10 60 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG