PB1000

PB1000 ... PB1010, PB1000S ... PB1010S PB1000 ... PB1010, PB1000S ... PB1010S Silicon-Bridge-Rectifiers Silizium-Brückengleichrichter Version 2011-03-22 Type: PB... 12.7±0.3 = Type: PB...S 10.9 ±0.5 Nominal current – Nennstrom Alternating input voltage Eingangswechselspannung Type: PB... Ø 3.6 _ 10 A 35...700 V 10.9±0.5 Ø 3.9 19 x 19 x 6.8 [mm] 5.5 g Plastic case – Kunststoffgehäuse Weight approx. – Gewicht ca. Type: PB...S 15.1 x 15.1 x 6.3 [mm] Plastic case with Al-bottom – Kunststoffgehäuse mit Alu-Boden Weight approx. – Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging bulk Standard Lieferform lose im Karton = 19±0.2 15.1±0.2 6.3 ±0.5 6.8±0.2 3.5 g 19 1.2 1.0 Dimensions - Maße [mm] Recognized Product – Underwriters Laboratories Inc.® File E175067 Anerkanntes Produkt – Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067 Maximum ratings Type Typ PB1000 / PB1000S PB1001 / PB1001S PB1002 / PB1002S PB1004 / PB1004S PB1006 / PB1006S PB1008 / PB1008S PB1010 / PB1010S Max. alternating input voltage Max. Eingangswechselspannung VVRMS [V] 35 70 140 280 420 560 700 Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 1) 50 100 200 400 600 800 1000 Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 19 f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C IFRM IFSM i2t Tj TS 50 A 2) 135/150 A 1) 93 A2s -50...+150°C -50...+150°C 1 2 Per diode – Pro Diode Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 PB1000 ... PB1010, PB1000S ... PB1010S Characteristics Max. current with cooling fin 300 cm Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm2 Forward voltage Durchlass-Spannung Leakage current Sperrstrom Isolation voltage terminals to case Isolationsspannung Anschlüsse zum Gehäuse Thermal Resistance Junction – Case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse Admissible torque for mounting Zulässiges Anzugsdrehmoment M4 2 Kennwerte TA = 50°C Tj = 25°C Tj = 25°C R-load C-load IF = 5 A VR = VRRM IFAV VF IR VISO RthC 10.0 A 8.0 A < 1.2 V 1) < 10 µA > 2500 V < 3.3 K/W 9 ± 10% lb.in 1 ± 10% Nm 120 [%] 100 102 [A] 10 Tj = 125°C 80 Tj = 25°C 60 1 40 10 20 IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] -1 IF 10-2 150a-(5a-1.2v) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Rated forward current vs. ambient temperature Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 1 Per diode – Pro Diode http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2