RA251

RA2505 ... RA2510 RA2505 ... RA2510 Silicon-Rectifiers – Button Diodes Silizium-Gleichrichter – Knopf-Zellen Version 2011-03-01 Nominal current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Dimensions - Maße [mm] 25 A 50 ... 1000 V Button 1.9 g Standard packaging bulk Standard Lieferform lose Marking: Kennzeichnung: Colored ring denotes “cathode” Farbiger Ring kennzeichnet “Kathode” Maximum ratings Type Typ RA2505 RA251 RA252 RA254 RA256 RA258 RA2510 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 50 100 200 400 600 800 1000 Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 50 100 200 400 600 800 1000 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur TC = 110°C IFAV IFSM 25 A 375/400 A 680 A2s -50...+175°C -50...+175°C TA = 25°C i2t Tj TS © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 RA2505 ... RA2510 Characteristics Forward Voltage – Durchlass-Spannung Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 25°C Tj = 100°C IF = 80 A VR = VRRM VR = VRRM VF IR IR RthC Kennwerte < 1.1 V < 5 µA < 250 µA < 1.0 K/W Thermal resistance junction to case (terminal) Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse (Anschluss) 120 [%] 100 10 3 [A] 102 80 10 Tj = 25°C 60 40 1 20 IFAV 0 0 TC 50 100 150 [°C] Rated forward current versus case temperature Zul. Richtstrom in Abh. von der Gehäusetemp. IF 10 -1 375a-(25a-1,1v) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 10 3 [A] 102 îF (375a-25a) 10 1 10 10 2 [n] 103 Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG