RA32Z39

RA32Z39 RA32Z39 Silicon Protectifiers® with TVS characteristic – Button Diodes Silizium-Schutzgleichrichter mit Begrenzereigenschaft – Knopf-Zellen Version 2009-01-21 Nominal current Nennstrom Nominal breakdown voltage Nominale Abbruchspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Dimensions - Maße [mm] 32 A 39 V Button 1.9 g Standard packaging bulk Standard Lieferform lose Maximum ratings Type Typ Breakdown voltage Abbruchspannung IT = 100 mA 1) VBRmin [V] RA32Z39 35 VBRmax [V] 42 Grenzwerte Reverse voltage Sperrspannung IR = 1 µA 1) VR [V] > 30 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur TC = 150°C IFAV IFSM 32 A 270/300 A 375 A2s -50...+215°C -50...+215°C TA = 25°C i2t Tj TS 1 Tj = 25°C http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 RA32Z39 Characteristics Forward Voltage – Durchlass-Spannung Leakage current – Sperrstrom Clamping voltage Begrenzerspannung Tj = 25°C Tj = 150°C Tj = 25°C IF = 100 A VR = 30 V Ipp = 80 A VF IR VC RthC Kennwerte < 1.2 V 1) < 500 µA < 56.4 V 2) < 0.8 K/W Thermal resistance junction to case (terminal) Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse (Anschluss) 120 [%] 100 10 3 [A] 102 Tj = 125°C 80 10 Tj = 25°C 60 40 1 20 IFAV 0 0 TC 50 100 150 200 [°C] IF 10 Rated forward current versus case temperature Zul. Richtstrom in Abh. von der Gehäusetemp. -1 270a-(25a-1,1v) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 10 3 [A] 102 îF 10 1 10 102 [n] 103 Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlass-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz 1 2 Tested with pulses tp = 100 ms – Gemessen mit Impulsen tp = 100 ms 10/1000µs pulse – 10/1000 µs Impuls http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2