RA3505 ... RA358
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Silicon-Rectifiers – Button Diodes Silizium-Gleichrichter – Knopf-Zellen Version 2008-10-30 Nominal current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Dimensions - Maße [mm]
35 A 50 ... 800 V Button 1.9 g
Standard packaging bulk Standard Lieferform lose
Marking: Kennzeichnung:
Colored ring denotes “cathode” Farbiger Ring kennzeichnet “Kathode”
Maximum ratings Type Typ RA3505 RA351 RA352 RA354 RA356 RA358 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 50 100 200 400 600 800
Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 50 100 200 400 600 800
Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur
TC = 110°C
IFAV IFSM
35 A 450/500 A 1000 A2s -50...+175°C -50...+175°C
TA = 25°C
i2t Tj TS
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
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Characteristics Forward Voltage – Durchlass-Spannung Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 25°C Tj = 100°C IF = 80 A VR = VRRM VR = VRRM VF IR IR RthC
Kennwerte < 1.1 V < 5 µA < 250 µA < 1.0 K/W
Thermal resistance junction to case (terminal) Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse (Anschluss)
120 [%] 100
10
3
[A] 102
Tj = 125°C
80
Tj = 25°C
60
10
40 1 20 IFAV 0 0 TC 50 100 150 200 [°C] IF 10-1 0.4
500a-(80a-1,1v)
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Rated forward current versus case temperature Zul. Richtstrom in Abh. von der Gehäusetemp.
Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte)
10
3
[A]
10
2
îF
10
1
10 102 [n] 103 Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz
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