S16MSD2-CT

S16ASD2 ... S16MSD2 S16ASD2 ... S16MSD2 Standard Recovery SMD Rectifier Diodes SMD-Gleichrichterdioden mit Standard-Sperrverzug IFAV = 16 A VF < 1.0 V Tjmax = 150°C VRRM = 50...1000 V IFSM = 135/150 A trr ~ 1500 ns Version 2017-12-18 Typical Applications 50/60 Hz Mains Rectification, Power Supplies, Polarity Protection Commercial grade 1) 1.2 10.25 ±0.5 4.5 ± 0.2 Type Typ 1 2 3 1.3 0.8 0.4 1 2 4 Weight approx. 3 Dimensions - Maße [mm] Pb Mechanical Data 1) Packed in tubes/cardboards On request: on 13” reel 5.08 RoHS EE WE Features Half bridge in SMD High power dissipation Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) 4 Typische Anwendungen 50/60 Hz Netzgleichrichtung, Stromversorgungen, Verpolschutz Standardausführung 1) EL V TO-263AB (D²PAK) Besonderheiten Halbbrücke in SMD Hohe Leistungsfähigkeit Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanische Daten 1) 50/1000 800 Verpackt in Stangen/Kartons Auf Anfrage: auf 13” Rolle 1.6 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 245°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Maximum ratings 2) Type Typ Grenzwerte 2) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 3) Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 3) S16ASD2 50 50 S16BSD2 100 100 S16DSD2 200 200 S16GSD2 400 400 S16JSD2 600 600 S16KSD2 800 800 S16MSD2 1000 1000 Max. average forward current, R-load Dauergrenzstrom mit R-Last TC = 100°C 4) IFAV 8 A 3) 16 A 5) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz TC = 100°C 4) IFRM 30 A 3) Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung Half sine-wave Sinus-Halbwelle 50 Hz (10 ms) 60 Hz (8.3 ms) IFSM 135 A 3) 150 A 3) t < 10 ms i2t 90 A2s 3) Tj -50...+150°C -50...+175°C Rating for fusing Grenzlastintegral Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 3 4 5 TS Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben Per diode – Pro Diode Measured at heat flange – Gemessen an der Kühlfahne Output current for two devices operated in a full bridge configuration Ausgangsstrom bei Betrieb zweier Bauteile als Vollbrücke © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 S16ASD2 ... S16MSD2 Characteristics Kennwerte Type Typ Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] 1) S16ASD2 ... S16MSD2 Forward voltage Durchlass-Spannung @ IF [A] @ Tj VF [V] 1) 5 25°C < 1.1 < 1.0 Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Typical junction capacitance Typische Sperrschichtkapazität @ IF [A] @ Tj 8 25°C VR = VRRM IR < 5 µA 1) VR = 4 V Cj 40 pF 1) Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse RthC < 2.5 K/W ) 1,2 102 120 [%] [A] 100 10 80 Tj = 125°C Tj = 25°C 1 60 40 10-1 20 IF IFAV 0 0 TC 50 100 150 10-2 0.4 [°C] 200a-(5a-0.95v) VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Rated forward current vs. temp. of the case Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Gehäusetemperatur Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 Per diode – Pro Diode Measured at heat flange – Gemessen an der Kühlfahne http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG