S1YL-CT

S1YL S1YL IFAV = 1 A VF < 1.1 V Tjmax = 150°C Standard Recovery SMD Rectifier Diodes SMD-Gleichrichterdioden mit Standard-Sperrverzug VRRM = 2000 V IFSM = 22/25 A trr ~ 1500 ns Version 2019-01-29 Typical Applications 50/60 Hz Mains Rectification, Smart Meter Input Stage Power Supplies, Polarity Protection Commercial grade Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1) ± 0.2 2.2 ± 0.2 2.1 ± 0.2 5 Type Typ 1.5 ±0.1 0.15 Besonderheiten Budget-Version der S1Y Glasspassivierte Sperrschicht VRRM von 2000 V Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) RoHS Pb EE WE 2.7 ± 0.2 1± 0.3 Features Budget version of S1Y Glass passivated junction VRRM of 2000 V Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) EL V SMA ~ DO-214AC Typische Anwendungen 50/60 Hz Netzgleichrichtung, Eingangsstufe elektron. Stromzähler Stromversorgungen, Verpolschutz Standardausführung Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled 4.5± 0.3 7500 / 13“ Weight approx. Dimensions - Maße [mm] Gegurtet auf Rolle 0.07 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Maximum ratings 2) Type Typ Grenzwerte 2) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] S1YL/-Q Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 2000 2000 Max. average forward rectified current – Dauergrenzstrom in Einwegschaltung TT = 100°C IFAV 1A Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz TT = 100°C IFRM 4A Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung 50 Hz (10 ms) 60 Hz (8.3 ms) IFSM 22 A 25 A t < 10 ms i2t 2.4 A2s Half sine-wave Sinus-Halbwelle Rating for fusing – Grenzlastintegral Non-repetitive peak reverse avalanche energy – Einmalige Impulsenergie in Sperr-Richtung Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur ERSM Tj TS Characteristics N/A -50...+150°C -50...+150°C Kennwerte Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 1 A VF < 1.1 Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM IR < 5 µA < 50µA Reverse recovery time – Sperrverzug IF = 0.5 A → IR = 1 A → IR = 0.25 A trr typ. 1500 ns Typ. thermal resistance junction-ambient – Typ. Wärmewiderstand Sperrschicht-Umgebung RthA 75 K/W 3) Typ. thermal resistance junction-terminal – Typ. Wärmewiderstand Sperrschicht-Anschluss RthT 30 K/W 1 2 3 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben Mounted on PCB with 25 mm2 copper pads per terminal – Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferpad je Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 S1YL 10 120 [%] 1 [A] 100 T j = 1 2 5 °C 10 80 T j = 2 5 °C 60 1 40 10-1 20 IF IFAV 30a-(1a-1.1v) 0 0 TT 100 50 150 10-20.4 [°C] VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Rated forward current vs. temp. of the terminals Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. der Terminals 10 2 2 10 [µA] [A] 10 T j = 12 5°C 1 10 T j = 10 0°C 1 îF 1 10-1 T j = 25 °C -2 VRRM 40 60 10 2 10 [n] 3 10 Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz IR 10 0 1 80 100 [%] Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung 25 100 [pF] 20 [%] 15 10 10 ZthA RthA 1 0.01 [s] 0.1 1 10 102 [tp] Relative transient thermal impedance vs. pulse duration (typical) Relativer transienter Wärmewiderstand über Impulsdauer (typisch) 5 Cj 103 0 VR [V] Junction capacitance vs. reverse voltage (typical) Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Sperrspg. (typ.) 2 Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG