SB1240-3G

SB1240-3G SB1240-3G Schottky Barrier Rectifier Diodes 3rd Generation Schottky-Gleichrichterdioden 3. Generation IFAV = 12 A VF@5A < 0.45 V Tjmax = 150°C VRRM = 40 V IFSM = 280/320 A VF125 ~ 0.30 V @ 5 A Version 2018-09-28 Typical Applications Solar Bypass Diodes, Polarity Protection, Free-wheeling diodes, Output Rectification Commercial grade 1) 7.5 ±0.1 Type ±0.5 62.5 Halogen FREE R oH S WE Pb EE Features Lower reverse leakage and smaller package than SB1240 Best trade-off between VF and IR 2) Small package outline Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Ø 4.5+0.1 -0.3 EL V ~ DO-201 Typische Anwendungen Solar-Bypassdioden, Verpolschutz, Freilaufdioden, Ausgangsgleichrichtung Standardausführung 1) Besonderheiten Niedrigerer Sperrstrom und kleineres Gehäuse als SB1240 Optimaler Kompromiss zwischen VF und IR 2) Kleine Gehäusebauform Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) ±0.05 Ø 1.2 Mechanische Daten 1) Taped in ammo pack On request: on 13” reel 1250 Weight approx. Dimensions - Maße [mm] Gegurtet in Ammo-Pack Auf Anfrage: auf 13” Rolle 1g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL N/A Maximum ratings 3) Type Typ Grenzwerte 3) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 40 40 SB1240-3G Max. average forward rectified current Dauergrenzstrom in Einwegschaltung Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung Half sine-wave Sinus-Halbwelle TA = 50°C IFAV 12 A 4) 50 Hz (10 ms) 60 Hz (8.3 ms) IFSM 280 A 320 A Junction temperature – Sperrschichttemperatur in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb Tj -50...+150°C ≤ 200°C 2,5) Storage temperature Lagerungstemperatur TS -50...+175°C 1 2 3 4 5 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches For more details, ask for the Diotec Application Note “Reliability of Bypass Diodes” Weitere Infos in der Diotec Applikationsschrift „Reliability of Bypass Diodes” TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden Meets the Requirements of IEC 61215 bypass diode thermal test Erfüllt die Anforderungen des IEC 61215 Bypass-Diodentests © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 SB1240-3G Characteristics Kennwerte Type Typ Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] @ IF [A] @ Tj SB1240-3G typ. 0.30 5 125°C Leakage current Sperrstrom Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] @ IF [A] @ Tj < 0.45 5 25°C Tj = 25°C Tj = 100°C Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapazität Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] @ IF [A] @ Tj < 0.55 12 25°C VR = VRRM IR < 200 µA typ. 6 mA VR = 4 V Cj 510 pF Typical thermal resistance junction to ambient Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht-Umgebung RthA < 14 K/W 1) Typical thermal resistance junction to lead (at the case) Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht-Anschlussdraht (am Gehäuse) RthL < 4 K/W 2) 120 2 10 [%] [A] 100 10 80 60 1 40 10-1 20 IF IFAV 0 0 TA 100 50 150 10-2 0 [°C] Rated forward current versus ambient temperature ) 1 Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) 1 10 2 0.4 0.6 1.0 VF [V] Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) T j = 1 5 0 °C [mA] 10 T j = 2 5 °C T j = 1 2 5 °C T j = 1 2 5 °C 1 T j = 1 0 0 °C 1 T j = 7 5 °C 10-1 T j = 5 0 °C IR 10 T j = 2 5 °C -2 0 VRRM 40 60 80 100 [%] Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 3 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG