SB190

SB120 ... SB1100 SB120 ... SB1100 Schottky Barrier Rectifier Diodes Schottky-Gleichrichterdioden IFAV = 1 A VF1 < 0.50 V Tjmax = 150°C VRRM = 20...100 V IFSM = 40/44 A Version 2016-11-25 Typical Applications Output Rectification in DC/DC Converters, Polarity Protection, Free-wheeling diodes Commercial grade 1) ±0.05 ±0.1 6.3 Type 62.5 -4.5 Features Low forward voltage drop Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) RoHS Pb EE WE +0.5 Ø3 Typische Anwendungen Ausgangsgleichrichtung in Gleichstromwandlern, Verpolschutz, Freilaufdioden Standardausführung 1) EL V ~DO-15 / ~DO-204AC Mechanische Daten 1) Mechanical Data 1) Ø 0.8±0.05 Besonderheiten Niedrige Fluss-Spannung Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Taped in ammo pack 4000 Gegurtet in Ammo-Pack Weight approx. 0.4 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen Dimensions - Maße [mm] MSL N/A Maximum ratings 2) Type Typ Grenzwerte 2) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] SB120 20 20 SB130 30 30 SB140 40 40 SB150 50 50 SB160 60 60 SB190 90 90 SB1100 100 100 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 75°C IFAV 1 A3) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 10 A 3) 50 Hz (10 ms) 60 Hz (8.3 ms) IFSM 40 A 44 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms i2t 8 A2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+150°C -50...+175°C Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung 1 2 3 Half sine-wave Sinus-Halbwelle Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 SB120 ... SB1100 Characteristics Kennwerte Type Typ Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] Junction capacitance Sperrschichtkapazität @ IF [A] @ Tj Cj [pF] @ VR [V] SB120 ... SB140 < 0.50 1.0 25°C typ. 80 4 SB150, SB160 < 0.70 1.0 25°C typ. 80 4 SB190, SB1100 < 0.79 1.0 25°C typ. 40 4 Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM VR = VRRM IR IR < 0.5 mA < 5 mA Thermal resistance junction to ambient Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA < 45 K/W 1) Thermal resistance junction to lead Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschlussdraht RthL < 15 K/W 102 120 [%] [A] 100 SB120...140 10 80 SB150...160 1 60 40 SB190...1100 10-1 20 IF IFAV 0 10-2 0 TA 50 100 150 [°C] Rated forward current versus ambient temperature ) 1 Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) 1 Tj = 25°C 0 VF 0.4 0.6 [V] 1.0 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG