SB850

SB820 ... SB8100 SB820 ... SB8100 Schottky Barrier Rectifiers Schottky-Barrier-Gleichrichter Version 2005-07-12 Nominal current Nennstrom Ø 5.4 ±0.1 8A 20...100 V Ø 5.4 x 7.5 [mm] 1.0 g Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack ±0.5 62.5 Ø 1.2 ±0.05 Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings and Characteristics Type Typ Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 20 30 40 50 60 90 100 Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 20 30 40 50 60 90 100 TA = 50°C f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C 7.5 ±0.1 Type Grenz- und Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] 1) IF = 5 A IF = 8 A < 0.55 < 0.55 < 0.55 < 0.68 < 0.68 < 0.83 < 0.83 8 A2) 30 A 2) 155/180 A 132 A2s -50...+150°C -50...+175°C < 0.52 < 0.52 < 0.52 < 0.61 < 0.61 < 0.75 < 0.75 IFAV IFRM IFSM i2t SB820 SB830 SB840 SB850 SB860 SB890 SB8100 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur TS Tj 1 2 Tj = 25°C Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 SB820 ... SB8100 Characteristics Leakage current Sperrstrom Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht Tj = 25°C VR = VRRM Tj = 100°C VR = VRRM IR IR RthA RthL Kennwerte < 500 µA < 20 mA < 19 K/W 1) < 8 K/W 120 [%] 100 102 [A] SB820...SB840 10 80 SB850, SB860 60 1 40 10 20 IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] 1 -1 SB890, SB8100 IF 10-2 0 VF 0.4 0.6 [V] 1.0 Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2