SB860-3G

SB860-3G SB860-3G IFAV = 8.0 A VF < 0.55 V Tjmax = 150°C Schottky Barrier Rectifier Diodes 3rd Generation Schottky-Gleichrichterdioden 3. Generation VRRM = 60 V IFSM = 330/360 A Version 2020-04-30 7.5 ±0.1 Type Features VF as low as comparable 45V types Low reverse leakage current Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) RoHS Pb EE WE 62.5 ±0.5 Ø 5.4 ±0.1 Typische Anwendungen Ausgangsgleichrichtung in Gleichstromwandlern, Verpolschutz, Freilaufdioden Standardausführung Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1) EL V Ø 5.4 x 7.5 Typical Applications Output Rectification in DC/DC Converters, Polarity Protection, Free-wheeling diodes Commercial grade Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1) Besonderheiten VF wie vergleichbare 45V Typen Niedriger Sperrstrom Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Ø 1.2 ±0.05 Dimensions - Maße [mm] Mechanische Daten 1) Taped in ammo pack 1250 Weight approx. Gegurtet in Ammo-Pack 1g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL N/A Maximum ratings 2) Type Typ Grenzwerte 2) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 60 60 SB860-3G Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung f > 15 Hz Half sine-wave Sinus-Halbwelle Rating for fusing Grenzlastintegral IFAV TA = 50°C IFRM 66 A 50 Hz (10 ms) 60 Hz (8.3 ms) IFSM 330 A 360 A t < 10 ms i2t 540 A2s Tj TS -50...+150°C -50...+175°C Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 8A TA = 50°C Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 SB860-3G Characteristics Kennwerte Type Typ SB860-3G Forward voltage Durchlass-Spannung Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] @ IF [A] @ Tj VF [V] @ IF [A] @ Tj typ. 0.45 8 125°C Leakage current Sperrstrom < 0.55 8 Junction capacitance Sperrschichtkapazität Cj [pF] 25°C Tj = 25°C Tj = 125°C typ. 380 @ VR [V] 4 IR < 50 µA typ. 20 mA Typical thermal resistance junction to ambient Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA 19 K/W 1) Typical thermal resistance junction to leads Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht RthL 8 K/W 120 VR = VRRM 2 10 [%] [A] 100 10 80 60 1 40 10-1 20 IF IFAV 0 0 TA 50 100 150 10-2 0 [°C] 1 Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) VF 0.4 0.6 [V] 1.0 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG