SBCT10100

SBCT1020 ... SBCT10100 SBCT1020 ... SBCT10100 Schottky Barrier Rectifier Diodes – Common Cathode Schottky-Barrier-Gleichrichterdioden – Gemeinsame Kathode Version 2010-04-29 2.8±0.3 1.2 ±0.2 10.1±0.3 Ø 3.8±0.2 4 Type Typ Nominal Current Nennstrom 4 10 A 20...100 V TO-220AB 2.2g 8.7±0.3 4.5±0.2 14.9±0.4 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse 3.9 ±0.3 123 13.9±0.3 2.67 0.42 ±0.2 1.3±0.1 0.8±0.2 2.54 ±0.1 123 ±0.4 Weight approx. Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging in tubes Standard Lieferform in Stangen Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings Type Typ Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 20 30 40 45 50 60 90 100 Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 20 30 40 45 50 60 90 100 Grenzwerte Forward Voltage Durchlass-Spannung VF [V] 1) 2) IF = 5 A IF = 10 A < 0.63 < 0.63 < 0.63 < 0.63 < 0.79 < 0.79 < 0.92 < 0.92 < 0.55 < 0.55 < 0.55 < 0.55 < 0.70 < 0.70 < 0.85 < 0.85 SBCT1020 SBCT1030 SBCT1040 SBCT1045 SBCT1050 SBCT1060 SBCT1090 SBCT10100 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 3 Tj = 25°C Per diode − Pro Diode Per device (parallel operation) − Pro Bauteil (Parallelbetrieb) http://www.diotec.com/ TC = 100°C f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C Tj TS IFAV IFAV IFRM IFSM i2t 5 A 2) 10 A 3) 20 A 2) 100/120 A 2) 50 A2s 2) -50...+150°C -50...+175°C © Diotec Semiconductor AG 1 SBCT1020 ... SBCT10100 Characteristics Leakage current Sperrstrom Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht - Gehäuse Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM IR RthC Kennwerte < 300 µA 1) < 7 mA 1) 3.0 K/W 2) 120 [%] 100 102 [A] 10 SBCT1020...SBCT1045 80 1 SBCT1050, SBCT1060 60 40 10-1 20 IFAV 0 0 TC 50 100 150 [°C] IF 10 -2 SBCT1080, SBCT10100 Tj = 25°C 0 Rated forward current vs. temp. of the case Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Gehäusetemperatur 0.4 0.6 1.0 VF [V] Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 1 2 Per diode − Pro Diode Per device (parallel operation) − Pro Bauteil (Parallelbetrieb) http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2