SBCT1050

SBCT1020 ... SBCT10100 SBCT1020 ... SBCT10100 IFAV = 2 x 5A VF1 < 0.55 V Tjmax = 150°C Schottky Barrier Rectifier Diodes Schottky-Gleichrichterdioden VRRM = 20...100 V IFSM = 100/120 A Version 2017-12-11 14.9 4.5±0.2 ±0.3 2.8±0.3 10.1 Ø 3.8±0.2 4 Type Typ ±0.1 1.3 1 2 3 0.8 ±0.2 Typische Anwendungen Ausgangsgleichrichtung in DC/DCWandlern und Netzteilen Verpolschutz Freilaufdioden Standardausführung 1) Features Low forward voltage drop High power dissipation Common cathode Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) RoHS Pb EE WE 0.42±0.1 3.9±0.3 ±0.2 13.9±0.3 1 2 3 2.67 4 8.7±0.3 ±0.7 1.2±0.2 Typical Applications Output Rectification in DC/DC Converters and Power Supplies Polarity Protection Free-wheeling diodes Commercial grade 1) EL V TO-220AB Besonderheiten Niedrige Fluss-Spannung Hohe Leistungsfähigkeit Gemeinsame Kathode Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) ±0.1 2.54 Mechanische Daten 1) Packed in tubes/cardboards 50/1000 Weight approx. Dimensions - Maße [mm] Verpackt in Stangen/Kartons 2.2 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL N/A Maximum ratings 2) Type Typ Grenzwerte 2) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] SBCT1020 20 20 SBCT1030 30 30 SBCT1040 40 40 SBCT1045 45 45 SBCT1050 50 50 SBCT1060 60 60 SBCT1090 90 90 SBCT10100 100 100 Max. average forward rectified current Dauergrenzstrom in Einwegschaltung Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung f > 15 Hz Half sine-wave Sinus-Halbwelle Rating for fusing – Grenzlastintegral TC = 100°C 3) IFAV 5 A 4) 10 A 5) TC = 100°C 3) IFRM 20 A 4) 50 Hz (10 ms) 60 Hz (8.3 ms) IFSM 100 A 4) 120 A 4) t < 10 ms i2t 50 A2s 4) Tj TS -50...+150°C -50...+175°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 3 4 5 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben Measured at heat flange – Gemessen an der Kühlfahne Per diode − Pro Diode Per device (parallel operation) − Pro Bauteil (Parallelbetrieb) © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 SBCT1020 ... SBCT10100 Characteristics Kennwerte Type Typ Forward voltage Durchlass-Spannung Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] @ IF [A] @ Tj VF [V] @ IF [A] @ Tj Junction capacitance Sperrschichtkapazität Cj [pF] @ VR [V] SBCT1020 ... SBCT1045 < 0.55 5 25°C < 0.63 10 25°C typ. 300 4 SBCT1050, SBCT1060 < 0.70 5 25°C < 0.79 10 25°C typ. 300 4 SBCT1090, SBCT10100 < 0.85 5 25°C < 0.92 10 25°C typ. 200 4 Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse IR RthC < 300 µA 1) typ. 7 mA 1) < 3.0 K/W ) 1,2 102 120 [%] [A] 100 SBCT1020...SBCT1045 10 80 SBCT1050, SBCT1060 1 60 40 SBCT1080, SBCT10100 10-1 20 IF IFAV 0 10-2 0 TC 50 100 150 [°C] Rated forward current vs. temp. of the case Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Gehäusetemperatur Tj = 25°C 0 0.4 0.6 1.0 VF [V] Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 Per device (parallel operation) − Pro Bauteil (Parallelbetrieb) Measured at heat flange – Gemessen an der Kühlfahne http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG