SBCT2045

SBCT2020 ... SBCT20100 SBCT2020 ... SBCT20100 Schottky Barrier Rectifier Diodes – Common Cathode Schottky-Barrier-Gleichrichterdioden – Gemeinsame Kathode Version 2011-04-08 2.8±0.3 1.2 ±0.2 10.1±0.3 Ø 3.8±0.2 4 Type Typ Nominal Current Nennstrom 4 20 A 20...100 V TO-220AB 2.2g 8.7±0.3 4.5±0.2 14.9±0.4 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case – Kunststoffgehäuse Weight approx. Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging in tubes Standard Lieferform in Stangen 13.9±0.3 2.67 0.42 ±0.2 3.9±0.3 1.3±0.1 0.8 ±0.2 123 123 ±0.4 2.54 ±0.1 Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings and Characteristics Type Typ Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 20 30 40 45 50 60 90 100 Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 20 30 40 45 50 60 90 100 TC = 100°C f > 15 Hz Grenz- und Kennwerte Forward Voltage Durchlass-Spannung VF [V] 1) 2) IF = 5 A IF = 10 A < 0.55 < 0.55 < 0.55 < 0.55 < 0.70 < 0.70 < 0.85 < 0.85 10 A 2) 20 A 3) 30 A 2) 130/150 A 2) 110/125 A 2) 80 A2s 2) Tj Tj -50...+150°C ≤ 200°C < 0.52 < 0.52 < 0.52 < 0.52 < 0.63 < 0.63 < 0.77 < 0.77 IFAV IFAV IFRM IFSM IFSM i2t SBCT2020 SBCT2030 SBCT2040 SBCT2045 SBCT2050 SBCT2060 SBCT2090 SBCT20100 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave SBCT2020... TA = 25°C Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle SBCT2060 Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave SBCT2080... TA = 25°C Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle SBCT20100 Rating for fusing, t < 10 ms – Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb TA = 25°C 1 2 3 Tj = 25°C Per diode − Pro Diode Per device (parallel operation) − Pro Bauteil (Parallelbetrieb) http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 SBCT2020 ... SBCT20100 Characteristics Leakage current Sperrstrom Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht - Gehäuse Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM IR RthC Kennwerte < 300 µA < 7 mA < 1.5 K/W 1) 120 [%] 100 102 [A] 10 SBCT2020...SBCT2045 80 1 SBCT2050, SBCT2060 60 40 10-1 20 IFAV 0 0 TC 50 100 150 [°C] IF 10 Rated forward current vs. temp. of the case Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. Des Gehäuses -2 SBCT2080, SBCT20100 0 0.4 0.6 1.0 VF [V] Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 1 Per device (parallel operation) − Pro Bauteil (Parallelbetrieb) http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2