SBCT2050

SBCT2020 ... SBCT20100 SBCT2020 ... SBCT20100 IFAV = 2 x 10 A VF1 < 0.52 V Tjmax = 150°C Schottky Barrier Rectifier Diodes Schottky-Gleichrichterdioden VRRM = 20...100 V IFSM1 = 130/150 A Version 2019-06-25 Ø 3.8 4 ±0.2 Type Typ ±0.3 0.42±0.1 4 1.3±0.1 1 2 3 0.8±0.2 Features Low forward voltage drop Common cathode Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten Niedrige Fluss-Spannung Gemeinsame Kathode Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) RoHS Pb EE WE 2.67 13.9 1 2 3 ±0.2 2.8±0.3 ±0.3 8.7±0.3 4.5 10.1 3.9±0.3 ±0.2 14.9±0.7 1.2±0.2 Typische Anwendungen Ausgangsgleichrichtung in DC/DCWandlern und Netzteilen Verpolschutz, ODER-Verknüpfungen Standardausführung Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1) EL V TO-220AB Typical Applications Output Rectification in DC/DC Converters and Power Supplies Polarity Protection, OR-ing diodes Commercial grade Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1) Mechanical Data 1) ±0.1 2.54 Packed in tubes/cardboards Weight approx. Dimensions - Maße [mm] Mechanische Daten 1) 50/1000 Verpackt in Stangen/Kartons 2.2 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL N/A Maximum ratings 2) Type Typ Grenzwerte 2) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] SBCT2020 20 20 SBCT2030 30 30 SBCT2040 40 40 SBCT2045 45 45 SBCT2050 50 50 SBCT2060 60 60 SBCT2090 90 90 SBCT20100 100 100 Max. average forward rectified current Dauergrenzstrom in Einwegschaltung TC = 100°C 3) IFAV 10 A 4) 20 A 5) Repetitive peak forw. current – Period. Spitzenstrom f > 15 Hz TC = 100°C 3) IFRM 30 A 4) Peak forward surge current (half sine-wave) Stoßstrom in Fluss-Richtung (Sinus-Halbwelle) SBT2020... SBT2060 50 Hz (10 ms) 60 Hz (8.3 ms) IFSM 130 A 4) 150 A 4) SBT2090... SBT20100 50 Hz (10 ms) 60 Hz (8.3 ms) IFSM 110 A 4) 125 A 4) t < 10 ms i2t 80 A2s 4) Tj TS -50...+150°C -50...+175°C Rating for fusing – Grenzlastintegral Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 3 4 5 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben Measured at heat flange – Gemessen an der Kühlfahne Per diode − Pro Diode Per device (parallel operation) − Pro Bauteil (Parallelbetrieb) © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 SBCT2020 ... SBCT20100 Characteristics Kennwerte Type Typ Forward voltage Durchlass-Spannung SBCT2020 ... SBCT2045 SBCT2050, SBCT2060 SBCT2090, SBCT20100 Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] 1) @ IF [A] @ Tj VF [V] 1) @ IF [A] @ Tj < 0.52 < 0.63 < 0.77 5 25°C < 0.55 < 0.70 < 0.85 10 25°C Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C Typical junction capacitance Typische Sperrschichtkapazität VR = VRRM IR < 300 µA 1) typ. 7 mA 1) VR = 4 V Cj 500 pF 1) Typical thermal resistance junction to case Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse 120 [%] 1.5 K/W 2,3) RthC 10 2 [A] 100 SBCT2020...SBCT2045 10 80 SBCT2050, SBCT2060 1 60 40 SBCT2080, SBCT20100 10 -1 20 IF IFAV 10 0 0 TC 50 100 150 [°C] Rated forward current vs. temp. of the case Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Gehäusetemperatur -2 0 VF 0.4 0.6 [V] 1.0 Forward ch aracteristics (typical values) Durchlasskennlin ien (typische Werte) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 3 2 Per diode − Pro Diode Per device (parallel operation) − Pro Bauteil (Parallelbetrieb) Measured at heat flange – Gemessen an der Kühlfahne http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG