SBCT30150

SBCT3040 ... SBCT30200 SBCT3040 ... SBCT30200 IFAV@125°C = 2 x 15 A VRRM = 45...200 V VF@15A < 0.50...0.85 V IFSM = 220/250 A Tjmax = 150°C VF@5A ~ 0.43...0.75 V 5) Schottky Barrier Rectifier Diodes Schottky-Gleichrichterdioden Version 2021-12-01 1 2 3 4 Typische Anwendungen Ausgangsgleichrichtung in DC/DCWandlern, Netzteilen, Ladegeräten Verpolschutz, ODER-Verknüpfungen Standardausführung Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1) Features Dual diodes with common cathode Low forward voltage drop Low reverse leakage Compliant to RoHS (exemp. 7a) REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten Doppeldiode mit gemeinsamer Kathode Niedrige Fluss-Spannung Niedriger Sperrstrom Konform zu RoHS (Ausn. 7a) Pb REACH, Konfliktmineralien 1) RoHS EE WE SPICE Model & STEP File 1) Typical Applications Output Rectification in DC/DC Converters, Power Supplies, Chargers Polarity Protection, OR-ing diodes Commercial grade Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1) EL V TO-220AB Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Packed in tubes/cardboards 50/1000 Weight approx. Marking Type (no suffix)/Typ (kein Suffix) Verpackt in Stangen/Kartons 2.2 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL N/A HS Code 85411000 Maximum ratings 2) Type Typ Grenzwerte 2) DC blocking voltage Sperrgleichspannung VDC [V] 3) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] SBCT3045-3G – 45 45 SBCT3060-3G – 60 60 SBCT30100 – 100 100 SBCT30150 /-AQ 120 150 150 SBCT30200 /-AQ 160 200 200 TC = 125°C 4) IFAV 15 A 5) 30 A 6) TC = 110°C 4) IFAV 20 A 5) 40 A 6) TC = 100°C 4) IFRM 44 A 5) Peak forward surge current (half sine-wave) Stoßstrom in Fluss-Richtung (Sinus-Halbwelle) 50 Hz (10 ms) 60 Hz (8.3 ms) IFSM 220 A 5) 250 A 5) Rating for fusing – Grenzlastintegral t < 10 ms i2t 240 A2s 5) Max. average forward rectified current Dauergrenzstrom in Einwegschaltung Repetitive peak forw. current – Period. Spitzenstrom f > 15 Hz Reverse surge current – Stromimpuls in Sperr-Richtung tp = 2 µs Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 3 4 5 6 IRSM 2A Tj TS -50...+150°C -50...+175°C Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben Defined for -AQ parts only, Tj = 125°C – Nur definiert für -AQ Bauteile, Tj = 125°C Measured at heat flange – Gemessen an der Kühlfahne Per diode − Pro Diode Per device (parallel operation) − Pro Bauteil (Parallelbetrieb) © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 SBCT3040 ... SBCT30200 Characteristics Kennwerte Type Typ Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] 2) SBCT3045-3G SBCT3060-3G SBCT30100 SBCT30150, SBCT30200/-AQ @ IF [A] typ. 0.43 tbd typ. 0.46 typ. 0.75 Leakage current Sperrstrom 5 Forward voltage Durchlass-Spannung @ Tj VF [V] 1) @ IF [A] @ Tj < 0.50 < tbd < 0.75 < 0.85 25°C 15 25°C Tj = 25°C Tj = 125°C SBCT3045-3G... SBCT3060-3G VR = VRRM IR < 100 µA 1) typ. 10 mA 1) Tj = 25°C Tj = 125°C SBCT30100... SBCT30200/-AQ VR = VRRM IR < 10 µA 1) typ. 3 mA 1) VR = 4 V Cj 260 pF 1) Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapazität Typical thermal resistance junction to case – Typ. Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse RthC 1.5 K/W 2,3) Dimensions – Maße [mm] 120 2 10 [%] [A] 100 SBCT3 0 4 0 ...4 5 10 80 SBCT3 0 6 0 60 1 SBCT3 0 1 0 0 40 10-1 20 0 SBCT3 0 1 5 0 ...2 0 0 IF IFAV 0 TC 50 100 150 [°C] 10-2 0 Rated forward current vs. temp. of the case 3) 3 Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. des Gehäuses ) 0.4 0.6 1.0 VF [V] Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 104 10 [mA] [pF] T j = 12 5°C 1 103 SBCT3 0 1 5 0 ...2 0 0 10 -1 102 10 -2 T j= 25 °C Ir 10 SBCT30 1 00 SBCT30 1 00 SBCT30 2 00 -3 0 VRRM 40 60 80 100 [%] Typ. leakage current vs. reverse voltage Typ. Sperrstrom in Abh. v. d. Sperrspannung 1 2 3 2 Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet T j = 2 5 °C f = 1 .0 M Hz Cj 10 1 VR 10 100 [V] Junction capacitance vs. reverse voltage (typical) Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Sperrspg. (typ.) Per diode − Pro Diode Per device (parallel operation) − Pro Bauteil (Parallelbetrieb) Measured at heat flange – Gemessen an der Kühlfahne http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG