SBT1020_10

SBT1020 ... SBT10100 SBT1020 ... SBT10100 Schottky Barrier Rectifier Diodes – Single Diode Schottky-Barrier-Gleichrichterdioden – Einzeldiode Version 2010-03-31 1.2±0.2 14.9±0.4 10.1±0.3 Ø 3.8±0.2 4 Type Typ 2.8±0.3 Nominal current Nennstrom 4 10 A 20...100 V TO-220AC 1.8 g 8.7±0.3 4.5±0.2 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case – Kunststoffgehäuse Weight approx. Gewicht ca. 13.9±0.3 2.67 0.42 ±0.2 3.9±0.3 1 1 3 1.3 ±0.1 3 ±0.4 0.8±0.2 5.08±0.1 Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging in tubes Standard Lieferform in Stangen Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings and Characteristics Type Typ Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 20 30 40 45 50 60 90 100 Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 20 30 40 45 50 60 90 100 TC = 100°C f > 15 Hz SBT1020... TA = 25°C SBT1060 SBT1090... TA = 25°C SBT10100 TA = 25°C Grenz- und Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] 1) IF = 5 A IF = 10 A < 0.55 < 0.55 < 0.55 < 0.55 < 0.70 < 0.70 < 0.85 < 0.85 10 A 30 A 1) 135/150 A 115/125 A 80 A2s Tj Tj -50...+150°C ≤ 200°C < 0.48 < 0.48 < 0.48 < 0.48 < 0.63 < 0.63 < 0.78 < 0.78 IFAV IFRM IFSM IFSM i2t SBT1020 SBT1030 SBT1040 SBT1045 SBT1050 SBT1060 SBT1090 SBT10100 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb 1 1 Tj = 25°C Max. temperature of the case TC = 100°C – Max. Temperatur des Gehäuses TC = 100°C http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 SBT1020 ... SBT10100 Characteristics Leakage current Sperrstrom Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM VR = VRRM IR IR RthC Kennwerte < 300 µA < 7 mA < 3 K/W 120 [%] 100 102 [A] 10 SBT1020...SBT1045 80 1 SBT1050, SBT1060 60 40 10-1 20 IFAV 0 0 TC 50 100 150 [°C] IF 10 Rated forward current vs. temp. of the case Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. Des Gehäuses -2 SBT1080, SBT10100 0 0.4 0.6 1.0 VF [V] Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG