SBT1045-3G

SBT1040-3G ... SBT10100-3G SBT1040-3G ... SBT10100-3G IFAV = 10 A VRRM = 40...100 V VF < 0.50...0.79 V IFSM = 115...275 A Tjmax = 150°C Schottky Barrier Rectifier Diodes 3rd Generation Schottky-Gleichrichterdioden 3. Generation Version 2021-07-12 1 Typical Applications Output Rectification in DC/DCConverters and Power Supplies Polarity Protection Free-wheeling diodes Commercial grade Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1) 3 4 RoHS Pb EE WE SPICE Model & STEP File 1) Features Low forward voltage drop Low reverse leakage High power dissipation Compliant to RoHS (exemp. 7a) REACH, Conflict Minerals 1) Typische Anwendungen Ausgangsgleichrichtung in DC/DCWandlern und Netzteilen Verpolschutz Freilaufdioden Standardausführung Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1) EL V TO-220AC Besonderheiten Niedrige Fluss-Spannung Niedriger Sperrstrom Hohe Leistungsfähigkeit Konform zu RoHS (Ausn. 7a) REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Packed in tubes/cardboards Weight approx. Marking Type (no suffix)/Typ (kein Suffix) HS Code 85411000 50/1000 Verpackt in Stangen/Kartons 1.8 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL N/A Maximum ratings 2) Type Typ Grenzwerte 2) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] SBT1040-3G 40 40 SBT1045-3G 45 45 SBT10100-3G 100 100 Max. average forward rectified current Dauergrenzstrom in Einwegschaltung Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current (half sine-wave) Stoßstrom in Fluss-Richtung (Sinus-Halbwelle) TC = 125°C 1) IFAV 10 A TC = 125°C 3) IFRM 30 A SBT1040-3G SBT1045-3G 50 Hz (10 ms) 60 Hz (8.3 ms) IFSM 250 A 275 A SBT10100-3G 50 Hz (10 ms) 60 Hz (8.3 ms) IFSM 115 A 125 A f > 15 Hz Rating for fusing – Grenzlastintegral t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 1 i2t 80 A2s Tj TS -50...+150°C -50...+150°C Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben Measured at heat flange – Gemessen an der Kühlfahne © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 SBT1040-3G ... SBT10100-3G Characteristics Kennwerte Type Typ Forward voltage Durchlass-Spannung Forward voltage Durchlass-Spannung Junction capacitance Sperrschichtkapazität VF [V] @ IF [A] @ Tj VF [V] @ IF [A] @ Tj Cj [pF] @ VR [V] SBT1040-3G SBT1045-3G < 0.45 5 25°C < 0.50 10 25°C typ. 500 4 SBT10100-3G < 0.75 5 25°C < 0.79 10 25°C typ. 300 4 Leakage current Sperrstrom SBT1040-3G SBT1045-3G Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM IR < 120 µA typ. 5 mA SBT10100-3G Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM IR < 4 µA typ. 2 mA RthC 3 K/W 1) Typical thermal resistance junction to case Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse Dimensions – Maße [mm] 120 2 10 [%] [A] 100 10 80 60 1 40 10-1 20 IF IFAV 0 0 TC 50 100 150 10-2 0 [°C] Rated forward current vs. temp. of the case Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. Des Gehäuses T j = 2 5 °C T j = 1 2 5 °C 0.4 0.6 1.0 VF [V] Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 Measured at heat flange – Gemessen an der Kühlfahne http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG