SBT1845

SBT1820 … SBT1845 SBT1820 … SBT1845 Schottky Barrier Rectifiers – Single Diode Schottky-Barrier-Gleichrichter – Einzeldiode Version 2011-06-27 10±0.2 3 4 3.8 Type Typ Nominal current – Nennstrom 4 18 A 20...45 V TO-220AC 1.8 g Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case – Kunststoffgehäuse Weight approx. – Gewicht ca. 15.7 123 3 .4 13.2 1.5 0.9 5.08 123 Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging in tubes Standard Lieferform in Stangen Dimensions - Maße [mm] Green Molding Halogen-Free1 Typische Anwendungen Typical Applications Bypass Diodes – best trade-off between VF and IR ) Free-Wheeling Diodes High Frequent Output Rectification 2 Bypass-Dioden – optimales VF und IR 2) Freilaufdioden Hochfrequenz-Ausgangsgleichrichtung Maximum ratings and Characteristics Type Typ Repetitive / Surge peak reverse voltage Periodische- / Spitzen-Sperrspannung VRRM [V] / VRSM [V] 20 30 40 45 Forward Voltage Durchlass-Spannung VF [V] Tj = 125°C IF = 5 A SBT1820 SBT1830 SBT1840 SBT1845 typ. 0.33 typ. 0.33 typ. 0.33 typ. 0.33 TC = 100°C f > 15 Hz SBT1820... TA = 25°C SBT1845 TA = 25°C Grenz- und Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] Tj = 25°C IF = 5 A < 0.50 < 0.50 < 0.50 < 0.50 IFAV IFRM IFSM i2t Tj Tj IF = 18 A < 0.58 < 0.58 < 0.58 < 0.58 18 A 55 A 3) 280/320 A 390 A2s -50...+150°C ≤ 200°C Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb 1 2 3 From 4Q/2011 – Ab 4Q/2011 For more details, ask for the Diotec Application Note “Reliability of Bypass Diodes” Weitere Infos in der Diotec Applikationsschrift „Reliability of Bypass Diodes” Max. temperature of the case TC = 100°C – Max. Temperatur des Gehäuses TC = 100°C http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 SBT1820 … SBT1845 Characteristics Leakage current Sperrstrom Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM VR = VRRM IR IR RthC Kennwerte < 500 µA < 20 mA < 1.5 K/W 120 [%] 100 102 [A] Tj = 125°C 10 80 1 Tj = 25°C 60 40 10-1 20 IFAV 0 0 TC 50 100 150 [°C] IF 10-2 Rated forward current vs. temp. of the case Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. Des Gehäuses 0 0.4 0.6 1.0 VF [V] Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 102 Tj = 150°C [mA] Tj = 125°C 101 Tj = 100°C 1 Tj = 75°C 10-1 IR 10 -2 Tj = 50°C Tj = 25°C 0 VRRM 40 60 80 100 [%] Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG