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SBT2640

SBT2640

  • 厂商:

    DIOTEC(德欧泰克)

  • 封装:

  • 描述:

    SBT2640 - Schottky Barrier Rectifiers – Single Diode - Diotec Semiconductor

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  • 价格&库存
SBT2640 数据手册
SBT2620 ... SBT2640 SBT2620 ... SBT2640 Schottky Barrier Rectifiers – Single Diode Schottky-Barrier-Gleichrichter – Einzeldiode Version 2009-09-21 10±0.2 3 4 3.8 Type Typ Nominal current Nennstrom 4 26 A 20...40 V TO-220AC 1.8 g 15.7 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case – Kunststoffgehäuse Weight approx. Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging in tubes Standard Lieferform in Stangen 123 13.2 3 .4 1.5 0.9 5.08 123 Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings and Characteristics Type Typ Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 20 30 40 Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 20 30 40 Grenz- und Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] 1) IF = 5 A IF = 26 A < 0.59 < 0.59 < 0.59 < 0.50 < 0.50 < 0.50 SBT2620 SBT2630 SBT2640 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb TC = 100°C f > 15 Hz SBT1820... TA = 25°C SBT1840 TA = 25°C IFAV IFRM IFSM i2t Tj Tj 26 A 60 A 2) 290/330 A 420 A2s -50...+150°C ≤ 200°C 1 2 Tj = 25°C Max. temperature of the case TC = 100°C – Max. Temperatur des Gehäuses TC = 100°C http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 SBT2620 ... SBT2640 Characteristics Leakage current Sperrstrom Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM VR = VRRM IR IR RthC Kennwerte < 500 µA typ. 30 mA < 1.5 K/W 120 [%] 100 102 [A] 10 SBT2620 … SBT2640 80 1 60 40 10-1 20 IFAV 0 0 TC 50 100 150 [°C] IF 10 -2 0 Rated forward current vs. temp. of the case Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Gehäusetemperatur 0.4 0.6 1.0 VF [V] Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
SBT2640 价格&库存

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