SDB13HS | SDB14HS
SDB13HS | SDB14HS
IFAV = 1 A
VRRM = 30 | 40 V
VF < 0.47...0.52 V IFSM = 4.4/5 A
Tjmax = 125 | 150°C
SMD Low Barrier Schottky Rectifier Diodes
SMD Gleichrichterdioden mit niedriger Schottky-Barriere
Version 2021-09-24
Halogen
FREE
R oH S
Pb
EE
Features
Very low forward voltage drop
Ultra-small low profile package
High power dissipation
Compliant to RoHS (exemp. 7a),
REACH, Conflict Minerals 1)
Typische Anwendungen
Verpolschutz
ODER-Schaltungen
Standardausführung
Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1)
WE
SPICE Model & STEP File 1)
Typical Applications
Polarity Protection,
OR-ing circuits
Commercial grade
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1)
EL
V
PowerSOD-323
SOD-323P
Mechanical Data 1)
Mechanische Daten 1)
Taped and reeled
Marking Code
A3 (SDB13) | U4 (SDB14)
HS Code 85411000
Besonderheiten
Sehr niedrige Fluss-Spannung
Ultrakleine, flache Bauform
Hohe Leistungsabgabe
Konform zu RoHS (Ausn. 7a),
REACH, Konfliktmineralien 1)
3000 / 7“
Weight approx.
Gegurtet auf Rolle
0.005 g
Gewicht ca.
Case material
UL 94V-0
Gehäusematerial
Solder & assembly conditions
260°C/10s
Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
Maximum ratings 2)
Grenzwerte 2)
SDB13HS
Power dissipation
Verlustleistung
SDB14HS/
-Q/-AQ
Ptot
600 mW 3)
Max. average forward current
Dauergrenzstrom
DC
IFAV
1000 mA 3)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
0.9 A 3)
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms)
IFSM
4.4 A
5A
Peak forward surge current
Stoßstrom in Fluss-Richtung
Half sine-wave
Sinus-Halbwelle
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Reverse voltage
Sperrspannung
SDB14HS-AQ
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
2
3
VRRM
30 V
40 V
VR
-
32 V
Tj
TS
-40...+125°C
-40...+125°C
-40...+150°C
-40...+150°C
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
Mounted on PCB with 36 mm2 copper pad at cathode terminal – Montage auf Leiterplatte mit 36 mm2 Lötpad an der Kathode
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
SDB13HS | SDB14HS
Characteristics
Kennwerte
SDB13HS
SDB14HS/
-Q/-AQ
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
IF =
1A
0.7 A
VF
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
VR =
5V
VRRM
IR
< 40 µA
< 200 µA
Typ. junction capacitance – Typ. Sperrschichtkapazität
VR = 10 V
Cj
30 pF
Typical thermal resistance junction to ambient
Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
RthA
170 K/W 1)
Typical thermal resistance junction to terminal
Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss
RthT
30 K/W 2)
f = 1 MHz
< 0.47
< 0.52
Dimensions - Maße [mm]
10
10
[A]
[A]
1
1
Tj = 125°C
Tj = 125°C
10
10
-1
-1
Tj = 25°C
Tj = 25°C
10-2
10-2
IF
IF
SDB13HS
10
SDB14HS
-3
-3
0
VF
0.2
0.3
0.4
0.5
[V] 0.7
10
0
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
VF
0.2
0.3
0.4
0.5
[V] 0.7
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
120
100
[%]
SDB13HS
[mA]
100
Tj = 125°C
10
80
Tj = 100°C
1
Tj = 75°C
60
Tj = 50°C
40
-1
10
20
IR
10-2
0
Tj = 25°C
VRRM
40
60
IFAV
[%]
100
Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage
Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung
0
0
TA
50
100
150
[°C]
Rated forward current versus ambient temperature1)
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1
2
2
Mounted on PCB with 36 mm2 copper pad at cathode terminal – Montage auf Leiterplatte mit 36 mm2 Lötpad an der Kathode
Valid for the cathode terminal – Gültig für den Kathodenanschluss
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
很抱歉,暂时无法提供与“SDB13HS”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货
免费人工找货