SFE1A

SFE1A ... SFE1M SFE1A ... SFE1M Superfast Switching Surface Mount Si-Diodes Superschnelle Si-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2006-04-26 Nominal current – Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 0.5 2.5 1A 50...1000 V DO-213AB 0.07 g Type Typ Plastic case MELF Kunststoffgehäuse MELF Weight approx. – Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle 5.0 Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings Type Typ SFE1A SFE1B SFE1D SFE1G SFE1J SFE1K SFE1M Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 50 100 200 400 600 800 1000 TT = 100°C f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C IFAV IFRM IFSM i2t 0.5 Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 50 100 200 400 600 800 1000 1A 10 A 1) 30 A 4.5 A2s -50...+150°C -50...+150°C Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur TS Tj 1 Max. temperature of the terminals TT = 100°C – Max. Temperatur der Anschlüsse TT = 100°C http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 SFE1A ... SFE1M Characteristics Type Typ SFE1A...SFE1D SFE1G SFE1J...SFE1M Leakage current Sperrstrom Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Thermal resistance junction to terminal Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss Reverse recovery time Sperrverzugszeit trr [ns] 1) < 50 < 50 < 75 Tj = 25°C Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] at / bei IF [A] < 1.0 < 1.25 < 1.7 VR = VRRM IR RthA RthT 1 1 1 < 5 µA < 45 K/W 2) < 10 K/W 120 [%] 100 10 [A] 1 SFE1A...D 80 SFE1G SFE1J...M 60 0.1 40 10-2 20 IFAV 0 0 TT 50 100 150 [°C] IF 10-3 Tj = 25°C VF Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) [V] Rated forward current vs. temp. of the terminals Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. der Terminals 1 2 IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2