SK3045CD2

SK3020CD2 ... SK30100CD2 SK3020CD2 ... SK30100CD2 IFAV VF-3G Tjmax SMD Schottky Barrier Rectifier Diodes SMD Schottky-Gleichrichterdioden = 2x 15 A < 0.52...0.79 V = 150°C VRRM = 20...100 V IFSM = 280/320 A Version 2021-05-18 1 Typical Applications Output Rectification Solar Bypass Diodes, Polarity Protection, Free-wheeling diodes, Commercial grade Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1) 2 4 1 SPICE Model & STEP File ) Marking Type/Typ RoHS Pb EE WE Features Dual diode, common cathode -3G version with reduced VF & IR Compliant to RoHS (exemp. 7a) REACH, Conflict Minerals 1) 3 Typische Anwendungen Ausgangsgleichrichtung Solar-Bypassdioden, Verpolschutz, Freilaufdioden, Standardausführung Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1) EL V TO-263AB D²PAK Besonderheiten Doppeldiode, gemeinsame Kathode -3G Version mit reduziertem VF & IR Konform zu RoHS (Ausn. 7a) REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Packed in tubes/cardboards On request: on 13” reel Weight approx. 50/1000 800 Verpackt in Stangen/Kartons Auf Anfrage: auf 13” Rolle 1.6 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen HS Code 85411000 MSL = 1 Maximum ratings 2) Type Typ Grenzwerte 3) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] SK3020/30CD2* SK3040/45CD2* Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 20/30 * Will be replaced by / Werden ersetzt durch SK3045CD2-3G 40/45 20/30 40/45 SK3045CD2-3G 45 45 SK3050CD2 50 50 SK3060CD2 60 60 SK3080CD2** SK30100CD2** 80 ** Will be replaced by / Werden ersetzt durch SK30100CD2-3G 100 100 SK30100CD2-3G 100 100 Max. average forward rectified current Dauergrenzstrom in Einwegschaltung 80 TC = 100°C IFAV 15 A 3) 30 A 4) Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung 20 ... 60 V Half sine-wave Sinus-Halbwelle 50 Hz (10 ms) 60 Hz (8.3 ms) IFSM 280 A 4) 240 A 4) Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung 80 ... 100V Half sine-wave Sinus-Halbwelle 50 Hz (10 ms) 60 Hz (8.3 ms) IFSM 320 A 4) 270 A 4) Junction temperature – Sperrschichttemperatur in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb Tj Tj -50...+150°C ≤ 200°C 2) 5) Storage temperature – Lagerungstemperatur TS -50...+175°C 1 2 3 4 5 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben Valid per diode – Gültig pro Diode Valid per device (parallel operation) − Gültig pro Bauteil (Parallelbetrieb) Meets the Requirements of IEC 61215 bypass diode thermal test – Erfüllt die Anforderungen des IEC 61215 Bypass-Diodentests © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 SK3020CD2 ... SK30100CD2 Characteristics Kennwerte Type Typ Forward voltage Durchlass-Spannung Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] 1) @ IF [A] @ Tj SK3020CD2 ... SK3045CD2 SK3045CD2-3G SK3050CD2, SK3060CD2 SK3080CD2, SK30100CD2 SK30100CD2-3G < < < < < Leakage current Sperrstrom 0.49 0.44 0.63 0.77 0.74 5 VF [V] 1) @ IF [A] @ Tj < < < < < 25°C 0.55 0.52 0.70 0.85 0.79 SK3045CD2-3G SK3020CD2 ... SK30100CD2 SK30100CD2-3G Typical thermal resistance junction to case Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse Dimensions – Maße [mm] 15 Cj [pF] 1) typ. typ. typ. typ. typ. 25°C @ VR [V] 720 720 720 350 350 4 Tj = 25°C VR = VRRM IR < 100 µA < 500 µA < 5 µA Tj = 100°C VR = VRRM IR typ. 5 mA RthC 3.0 K/W 2) 1.5 K/W 2) Per diode – Pro Diode Per device – Pro Bauteil 2 10 Junction capacitance Sperrschichtkapazität 102 S K3 0 4 5 CD2 -3 G SK3020CD2...SK3045CD2 [A] [A] 10 10 SK3050CD2, SK3060CD2 1 1 Tj = 25°C Tj = 125°C T j = 2 5 °C T j = 1 2 5 °C 10-1 10 -1 IF IF SK3080CD2, SK30100CD2 -2 10-2 0 120 0.4 0.6 1.0 VF [V] Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 10 3 10 0 0.4 0.6 1.0 VF [V] Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 10 4 [%] [mA] 100 [µA] Tj = 150°C 102 103 Tj = 150°C Tj = 125°C 80 10 60 102 Tj = 75°C 40 10 1 20 0 VRRM = 20V ... 45V IR IFAV Tj = 25°C 10 TC 50 100 150 [°C] Rated forward current vs. temp. of the case Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. Des Gehäuses 0 Tj = 25°C IR VRRM = 80V ... 100V 1 -1 0 Tj = 125°C VRRM 40 60 80 100 [%] Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung 0 VRRM 40 60 80 100 [%] Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 Valid per diode – Gültig pro Diode Measured at heat flange – Gemessen an der Kühlfahne http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG