SL1G

SL1A ... SL1M SL1A ... SL1M Surface Mount Silicon Rectifier Diodes Silizium-Gleichrichterdioden für die Oberflächenmontage Version 2010-12-06 1.3 Nominal current – Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. – Gewicht ca. 1.7±0.2 1A 50...1000 V Power SOD-123 0.02 g 1.1 2.7 1.1 ±0. 3 ±0 .2 0.8 3.7 ±0 .2 Type Code Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Maximum ratings Type Typ SL1A SL1B SL1D SL1G SL1J SL1K SL1M Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 50 100 200 400 600 800 1000 Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 50 100 200 400 600 800 1000 TA = 50°C TA = 25°C TA = 25°C IFAV IFSM i2t Tj TS 0.8 Dimensions - Maße [mm] Grenzwerte Marking Kennzeichnung 1 ) 1A / SA1 1B / SA2 1D / SA3 1G / SA4 1J / SA5 1K / SA6 1M / SA7 1 A 2) 22/25 A 2.4 A2s -50...+150°C -50...+150°C Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 Alternatively – Alternativ Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 SL1A ... SL1M Characteristics Forward voltage Durchlass-Spannung Leakage current Sperrstrom Typical junction capacitance Typische Sperrschichtkapazität Typical reverse recovery time Typische Sperrverzugszeit Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Thermal resistance junction to terminal Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss Tj = 25°C Tj = 25°C Tj = 100°C f = 1 MHz IF = 1 A VR = VRRM VR = VRRM VR = 4 V Cj trr RthA RthT VF IR IR Kennwerte < 1.1 V < 5 µA < 50 µA 8 pF 1.5 µs < 85 K/W 1) < 30 K/W IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A 120 [%] 100 102 [A] 10 Tj = 125°C 80 Tj = 25°C 60 1 40 10-1 20 IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] 1 IF 10 -2 30a-(1a-1.2v) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 1 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2