UF4001 ... UF4007
UF4001 ... UF4007
Ultrafast Switching Silicon Rectifier Diodes – Ultraschnelle Silizium-Gleichrichterdioden Version 2009-10-16 Nominal current Nennstrom
Ø 2.6
-0.1
1A 50...1000 V DO-41 DO-204AL 0.4 g
Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
62.5 -2.5
+0.5
Type
Ø 0.77±0.07
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings Type Typ UF4001 UF4002 UF4003 UF4004 UF4005 UF4006 UF4007 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 50 100 200 400 600 800 1000 TA = 50°C f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C IFAV IFRM IFSM i2t Tj TS
5.1-0.1
Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 50 100 200 400 600 800 1000 1 A 1) 10 A 1) 30/33 A 4.5 A2s -50...+175°C -50...+175°C
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
UF4001 ... UF4007 Characteristics Type Typ UF4001 ... UF4003 UF4004 UF4005 ... UF4007 Leakage current Sperrstrom Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht Reverse recovery time Sperrverzugszeit trr [ns]1) < 50 < 50 < 75 Tj = 25°C Tj = 100°C Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] < 1.0 < 1.25 < 1.7 VR = VRRM VR = VRRM IR IR RthA RthL at / bei IF = [A] 1 1 1 < 10 µA < 50 µA < 45 K/W 2) < 15 K/W
120 [%] 100
10 [A]
UF4001...3
1 80
UF4004 UF4005...7
60
0.1
40 10-2 20 IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C]
1
IF 10
-3
Tj = 25°C
VF
Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte)
[V]
Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)
1 2
IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
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