US1G

US1A ... US1M US1A ... US1M Ultrafast Switching Surface Mount Silicon Rectifier Diodes Ultraschnelle Silizium-Gleichrichterdioden für die Oberflächenmontage Version 2011-02-28 Nominal current – Nennstrom 5± 0.2 2.2± 0.2 2.1± 0.1 1A 50...1000 V ~ SMA ~ DO-214AC 0.07 g Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. – Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle 1± 0.3 2.7± 0.2 Type Typ 0.15 1.5 4.5 ± 0.3 Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings Type Typ US1A US1B US1D US1G US1J US1K US1M Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 50 100 200 400 600 800 1000 TT = 100°C f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C IFAV IFRM IFSM i2t Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 50 100 200 400 600 800 1000 1A 6 A 1) 30 A 4.5 A2s -50...+150°C -50...+150°C Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur TS Tj 1 Max. temperature of the terminals TT = 100°C – Max. Temperatur der Anschlüsse TT = 100°C http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 US1A ... US1M Characteristics Type Typ US1A...US1D US1G US1J...US1M Leakage current Sperrstrom Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Thermal resistance junction to terminal Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss Reverse recovery time Sperrverzugszeit trr [ns] 2) < 50 < 50 < 75 Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] at / bei IF [A] < 1.0 < 1.25 < 1.7 Tj = 25°C VR = VRRM Tj = 100°C VR = VRRM IR IR RthA RthT 1 1 1 < 10 µA < 100 µA < 70 K/W 3) < 30 K/W 120 [%] 100 10 [A] 1 US1A...D 80 US1G US1J...M 60 0.1 40 10-2 20 IFAV 0 0 TT 50 100 150 [°C] IF 10 -3 Tj = 25°C VF Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) [V] Rated forward current vs. temp. of the terminals Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. der Terminals 2 3 IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2