US2M

US2A ... US2M US2A ... US2M Ultrafast Switching Surface Mount Si-Diodes Ultraschnelle Si-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2006-07-04 Nominal current – Nennstrom 5.4 ± 0.2 ± 0.5 2A 50...1000 V ~ SMB ~ DO-214AA 0.1 g 2.2 2.1 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. – Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle 1.1 + 0.1 3.7 Type Typ 5 ± 0.5 Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings Type Typ US2A US2B US2D US2G US2J US2K US2M Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 50 100 200 400 600 800 1000 2 ± 0.1 Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 50 100 200 400 600 800 1000 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur TT = 100°C f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C IFAV IFRM IFSM i2t 2A 10 A 1) 50 A 12.5 A2s -50...+150°C -50...+150°C Tj TS 1 Max. temperature of the terminals TT = 100°C – Max. Temperatur der Anschlüsse TT = 100°C http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 US2A ... US2M Characteristics Type Typ US2A...US2D US2G US2J...US2M Reverse recovery time Sperrverzugszeit trr [ns] 1) < 50 < 50 < 75 Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] at / bei IF [A] < 1.0 < 1.25 < 1.7 2 2 2 Leakage current Sperrstrom Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Thermal resistance junction to terminal Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM VR = VRRM IR IR RthA RthL < 10 µA < 200 µA < 50 K/W 2) < 15 K/W 120 [%] 100 10 [A] 1 US2A...D US2G US2J...M 80 60 0.1 40 10-2 20 IFAV 0 0 TT 50 100 150 [°C] IF 10-3 Tj = 25°C VF Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) [V] Rated forward current vs. temp. of the terminals Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. der Terminals 1 2 IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2