US3A_07

US3A ... US3M US3A ... US3M Ultrafast Switching Surface Mount Si-Diodes Ultraschnelle Si-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2006-04-19 7.9 ±0.2 ±0.2 Nominal current Nennstrom ±0.1 3A 50...1000 V ~ SMC ~ DO-214AB 0.21 g 1.2 0.15 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse 2.2 2.1 5.8 Type Typ 3 Weight approx. – Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle ±0.2 7.5 ±0.2 Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings Type Typ US3A US3B US3D US3G US3J US3K US3M Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 50 100 200 400 600 800 1000 TT = 100°C IFAV f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C IFRM IFSM i2t Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 50 100 200 400 600 800 1000 3A 15 A 1) 100 A 50 A2s -50...+150°C -50...+150°C Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS 1 Max. temperature of the terminals TT = 100°C – Max. Temperatur der Anschlüsse TT = 100°C http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 US3A ... US3M Characteristics Type Typ US3A...US3D US3G US3J...US3M Leakage current Sperrstrom Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Thermal resistance junction to terminal Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss Reverse recovery time Sperrverzugszeit trr [ns] 1) < 50 < 50 < 75 Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] at / bei IF [A] < 1.0 < 1.25 < 1.7 Tj = 25°C VR = VRRM Tj = 100°C VR = VRRM IR IR RthA RthL 3 3 3 < 10 µA < 300 µA < 40 K/W 2) < 10 K/W 120 [%] 100 10 [A] 1 US3A...D US3G US3J...M 80 60 0.1 40 10-2 20 IFAV 0 0 TT 50 100 150 [°C] IF 10-3 Tj = 25°C VF Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) [V] Rated forward current vs. temp. of the terminals Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. der Terminals 1 2 IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2