BZT52C4V3

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DIOTECH
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BZT52C4V3 - SURFACE MOUNT ZENER DIODE - Diotech Company.

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BZT52C2V4 - BZT52C43 SURFACE MOUNT ZENER DIODE Features Planar Die Construction 500mW Power Dissipation on Ceramic PCB General Purpose, Medium Current Ideally Suited for Automated Assembly Processes A C D B E G Dim A B C D E SOD-123 Min 3.6 2.5 1.4 0.5 — 0.4 0.95 — Max 3.9 2.8 1.8 0.7 0.2 — 1.35 0.12 Mechanical Data Case: SOD-123, Plastic UL Flammability Classification Rating 94V-0 Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020A Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208 Polarity: Cathode Band Marking: See Below Weight: 0.01 grams (approx.) H J G H J All Dimensions in mm Cathode ELECTRICAL SYMBOL Anode Maximum Ratings Type Number Forward Voltage @TA=25°C unless otherwise specified @ IF = 10mA Power Dissipation (Note 1) Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 1) Operating and Storage Temperature Range Symbol VF Pd R JA Value 0.9 500 305 -55 to + 150 Units V mW O C /W O TJ, TSTG C Notes: 1. Device Mounted on Ceramic PCB, 7.6mm x 9.4mm x 0.87mm with Pad Areas 25mm2. 2. Tested with Pulses. Period = 5ms, Pulse Width = 300us 3. When Provided, Otherwise, Parts are Provided with Date Code only, and Type Number Identifications Appears on reel only. 4. f = 1KHz. BZT52C2V4 - BZT52C43 SURFACE MOUNT ZENER DIODE Electrical Characteristics ZENER VOLTAGE VZ (1) VOLTS Min. 2.28 2.5 2.8 3.1 3.4 3.7 4.0 4.4 4.8 5.2 5.8 6.4 7.0 7.7 8.5 9.4 10.4 11.4 12.4 13.8 15.3 16.8 18.8 20.8 22.8 25.1 28 31 34 37 40 Nom 2.4 2.7 3.0 3.3 3.6 3.9 4.3 4.7 5.1 5.6 6.2 6.8 7.5 8.2 9.1 10 11 12 13 15 16 18 20 22 24 27 30 33 36 39 43 Max. 2.56 2.9 3.2 3.5 3.8 4.1 4.6 5.0 5.4 6.0 6.6 7.2 7.9 8.7 9.6 10.6 11.6 12.7 14.1 15.6 17.1 19.1 21.2 23.3 25.6 28.9 32 35 38 41 46 @TA=25°C unless otherwise specified Type Maximum Zener Impedance (2) ZZT(OHMS) IZT(mA) 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 2 2 2 2 2 5 Max. 100 100 95 95 90 90 90 80 60 40 10 15 15 15 15 20 20 25 30 30 40 45 55 55 70 80 80 80 90 130 100 Maximum Zener Impedance (2) ZZK (OHMS) IZK(mA) 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 1.0 Max. 600 600 600 600 600 600 600 500 480 400 150 80 80 80 100 150 150 150 170 200 200 225 225 250 250 300 300 325 350 350 700 REVERSE CURRENT IR (Max) @ VR uA 50 20 10 5 5 3 3 3 2 1 3 2 1 0.7 0.5 0.2 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 V 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 2.0 2.0 2.0 4.0 4.0 5.0 5.0 6.0 7.0 8.0 8.0 8.0 10.5 11.2 12.6 14.0 15.4 16.8 18.9 21.0 23.1 25.2 27.3 32.0 BZT52C2V4 BZT52C2V7 BZT52C3V0 BZT52C3V3 BZT52C3V6 BZT52C3V9 BZT52C4V3 BZT52C4V7 BZT52C5V1 BZT52C5V6 BZT52C6V2 BZT52C6V8 BZT52C7V5 BZT52C8V2 BZT52C9V1 BZT52C10 BZT52C11 BZT52C12 BZT52C13 BZT52C15 BZT52C16 BZT52C18 BZT52C20 BZT52C22 BZT52C24 BZT52C27 BZT52C30 BZT52C33 BZT52C36 BZT52C39 BZT52C43 Typical Temperature Coefficent @ IZTC mV/ -3.5 0 -3.5 0 -3.5 0 -3.5 0 -3.5 0 -3.5 0 -3.5 0 -3.5 0.2 -2.7 1.2 -2.0 2.5 0.4 3.7 1.2 4.5 2.5 5.3 3.2 6.2 3.8 7.0 4.5 8.0 5.4 9.0 6.0 10.0 7.0 11.0 9.2 13.0 10.4 14.0 12.4 16.0 14.4 18.0 16.4 20.0 18.4 22.0 21.4 25.3 24.4 29.4 27.4 33.4 30.4 37.4 33.4 41.2 10.0 12.0 Marking WX W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WQ WR WS WT WU (1) Device mounted on ceramic PCB: 7.6mm x 9.4mm x 0.87mm with pad areas 25 mm2 (2) f=1KHz KD 0.6 BZT52C2V4 - BZT52C43 RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES 50 Tj = 25°C C2V7 C3V9 C5V6 C6V8 C6V2 C8V2 0.5 0.4 IZ, ZENER CURRENT (mA) 40 C3V3 C4V7 PD, POWER DISSIPATION (W) 30 0.3 20 0.2 0.1 10 Test Current IZ 5.0mA 0 0 0 25 50 75 100 125 150 0 1 TA, AMBIENT TEMPERATURE ( C) Fig. 1 Power Dissipation vs Ambient Temperature 3 4 5 6 8 9 7 VZ, ZENER VOLTAGE (V) Fig. 2 Zener Breakdown Characteristics C39 C47 C43 C51 2 10 30 Tj = 25°C C10 C12 10 Tj = 25°C IZ, ZENER CURRENT (mA) 20 C15 IZ, ZENER CURRENT (mA) 8 6 C18 Test current IZ 2mA C27 C33 C36 10 C22 Test current IZ 5mA 4 Test Current IZ 2mA 2 0 0 10 20 30 VZ, ZENER VOLTAGE (V) Fig. 3 Zener Breakdown Characteristics 1000 40 0 10 30 40 50 60 70 80 90 100 VZ, ZENER VOLTAGE (V) Fig. 4 Zener Breakdown Characteristics 20 Tj = 25 °C Cj, JUNCTION CAPACITANCE (pF) VR = 1V VR = 2V 100 VR = 1V VR = 2V 10 1 10 100 VZ, NOMINAL ZENER VOLTAGE (V) Fig. 5 Junction Capacitance vs Nominal Zener Voltage

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BZT52C4V3

1. 物料型号： - 型号包括BZT52C2V4至BZT52C43，这些是表面安装齐纳二极管。

2. 器件简介： - 这些齐纳二极管采用平面芯片结构，能在陶瓷PCB上散耗500mW功率，适用于中等电流的通用应用，并适合自动化装配流程。

3. 引脚分配： - 二极管的极性带有阴极带，可焊性符合MIL-STD-202方法208，所有尺寸以毫米为单位。

4. 参数特性： - 包括正向电压、功率耗散、结到环境空气的热阻、工作和存储温度范围等。 - 例如，BZT52C2V4型号的正向电压为2.28V至2.56V，功率耗散为500mW，结到环境空气的热阻为305°C/W，工作温度范围为-55至+150°C。

5. 功能详解： - 包括电气特性和Zener电压、最大Zener阻抗、反向电流、典型温度系数等参数。 - 每个型号都有其特定的Zener电压和相关参数，如BZT52C2V4的Zener电压为2.28V至2.56V，最大Zener阻抗为100欧姆。

6. 应用信息： - 这些齐纳二极管适用于需要电压稳定和过压保护的应用场合。

7. 封装信息： - 封装类型为SOD-123塑料封装，提供了详细的封装尺寸参数和引脚信息。

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