物料型号:
- ED18832C70CB
- ED18832C85CB
- ED18832C100CB
- ED18832C120CB
- ED18832C150CB
- ED18832C7QQB
- ED18832C85QB
- ED18832C100QB
- ED18832C120QB
- ED18832C150QB
- ED18832C70LB
- ED18832C85LB
- ED18832C100LB
- ED18832C120LB
- ED18832C150LB
器件简介:
ED18832C是一款高性能、低功耗的262,144位CMOS静态RAM,组织为32Kx8。该器件有标准版(ED1882)和带数据保持功能(EDI8832LP)的版本。
引脚分配:
- A0-A14:地址输入
- CE:芯片使能
- EWG:写使能
- OE:输出使能
- DQ0-DQ7:公共数据输入输出
- VCC:电源+5V±10%
- VSS:地
- NC:无连接
参数特性:
- 访问时间:70ns、85ns、100ns、120ns、150ns
- 数据保持功能(EDI8832LP独有)
- TTL兼容的输入输出
- 完整静态,N时钟周期
- JEDEC批准的引脚配置
功能详解:
- ED18832C提供电池备份数据保持能力,在VCC等于2V时操作,并提供从5V电源操作。
- 提供28引脚侧装DIP封装,300 mils宽,编号2和600 mils宽,编号8。
- 32 Pad无引线芯片载体,编号12。
应用信息:
- 适用于需要高速、低功耗静态RAM的应用场合。
封装信息:
- 28引脚侧装DIP封装,300 mils宽,编号2和600 mils宽,编号8。
- 32 Pad无引线芯片载体,编号12。