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10ELS2

10ELS2

  • 厂商:

    EIC

  • 封装:

  • 描述:

    10ELS2 - FAST RECOVERY DIODE - EIC discrete Semiconductors

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10ELS2 数据手册
10ELS1 ~ 10ELS6 PRV : 100 ~ 400 Volts Io : 1.0 Amperes FEATURES : * * * * * * * High current capability High surge current capability High reliability Low reverse current Low forward voltage drop Fast switching for high efficiency Pb / RoHS Free FAST RECOVERY DIODE D2 0.161 (4.1) 0.154 (3.9) 1.00 (25.4) MIN. 0.284 (7.2) 0.268 (6.8) 0.034 (0.86) 0.028 (0.71) 1.00 (25.4) MIN. MECHANICAL DATA : * Case : D2 Molded plastic * Epoxy : UL94V-O rate flame retardant * Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202, Method 208 guaranteed * Polarity : Color band denotes cathode end * Mounting position : Any * W eight : 0.465 gram Dimensions in inches and ( millimeters ) Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%. MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS RATING Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage Maximum RMS Voltage Maximum DC Blocking Voltage Maximum Average Forward Current Maximum Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single half sine wave Maximum Peak Forward Voltage at IF = 1.0 A Maximum DC Reverse Current at Rated DC Blocking Voltage Maximum Reverse Recovery Time ( Note 1 ) Junction Temperature Range Storage Temperature Range SYMBOL VRRM VRMS VDC IF(AV) IFSM VF IRM Trr TJ TSTG 10ELS1 100 70 100 10ELS2 200 140 200 10ELS4 400 210 400 10ELS6 600 280 600 UNIT V V V A A 1.0 30 1.1 10 150 - 65 to + 150 - 65 to + 150 1.15 V µA ns °C °C Note : ( 1 ) Reverse Recovery Test Conditions : IF = 0.5 A, IR = 1.0 A, Irr = 0.25 A. Page 1 of 2 Rev. 02 : March 25, 2005 RATING AND CHARACTERISTIC CURVES ( 10ELS1 ~ 10ELS6 ) FIG.1 - REVERSE RECOVERY TIME CHARACTERISTIC AND TEST CIRCUIT DIAGRAM 50 Ω 10 Ω + 0.5 D.U.T. 50 Vdc (approx.) 1Ω PULSE GENERATOR ( NOTE 2 ) OSCILLOSCOPE ( NOTE 1 ) 0 - 0.25 Trr + - 1.0 A SET TIME BASE FOR 50-100 ns/cm NOTES : 1. Rise Time = 7 ns max., Input Impedance = 1 megaohm, 22 pF. 2. Rise time = 10 ns max., Source Impedance = 50 ohms. 3. All Resistors = Non-inductive Types. 1 cm FIG.2 - DERATING CURVE FOR OUTPUT RECTIFIED CURRENT AVERAGE FORWARD OUTPUT CURRENT, AMPERES 1.0 30 FIG.3 - MAXIMUM NON-REPETITIVE PEAK FORWARD SURGE CURRENT PEAK FORWARD SURGE CURRENT, AMPERES 8.3 ms SINGLE HALF SINE WAVE Ta = 25 °C 24 0.8 0.6 18 0.4 12 0.2 6 0 0 0 25 50 75 100 125 150 175 1 2 4 6 10 20 40 60 100 AMBIENT TEMPERATURE, ( °C) NUMBER OF CYCLES AT 60Hz FIG.4 - TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS FORWARD CURRENT, AMPERES 20 10 FIG.5 - TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS REVERSE CURRENT, MICROAMPERES 10 TJ = 100 °C Ta = 25 °C 1.0 1.0 0.1 0.1 TJ = 25 °C 0.01 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 0.01 0 20 40 60 80 100 120 140 FORWARD VOLTAGE, VOLTS PERCENT OF RATED REVERSE VOLTAGE, (%) Page 2 of 2 Rev. 02 : March 25, 2005
10ELS2
1. 物料型号: - 型号:10ELS1 ~ 10ELS6 - 证书编号:Q10561、E17276

2. 器件简介: - 器件类型:快速恢复二极管(Fast Recovery Diode) - 特点:高电流能力、高浪涌电流能力、高可靠性、低反向电流、低正向电压降、快速开关以提高效率、无铅/符合RoHS标准。

3. 引脚分配: - 引脚:轴向引脚,可焊接,符合MIL-STD-202标准。 - 极性:色带表示阴极端。

4. 参数特性: - 最大重复峰值反向电压(VRRM):10ELS1为100V,10ELS2为200V,10ELS4为400V,10ELS6为600V。 - 最大RMS电压(VRMS):10ELS1为70V,10ELS2为140V,10ELS4为210V,10ELS6为280V。 - 最大直流阻断电压(VDC):同VRRM值。 - 最大平均正向电流(IF(AV)):10ELS2为1.0A。 - 最大正向峰值浪涌电流(IFSM):10ELS1为30A。 - 最大正向电压在IF=1.0A时(VF):10ELS1为1.1V,10ELS2为1.15V。 - 最大直流反向电流在额定直流阻断电压下(IRM):10ELS1为10mA。 - 最大反向恢复时间(Trr):10ELS1为150ns。 - 结温范围(TJ):-65°C至+150°C。 - 储存温度范围(TSTG):-65°C至+150°C。

5. 功能详解应用信息: - 该器件适用于需要快速恢复和高效率的应用场合,如电源整流、电机控制、变频器等。

6. 封装信息: - 封装类型:D2模塑塑料封装。 - 阻燃等级:UL94V-0级。 - 安装位置:任意位置。 - 重量:0.465克。
10ELS2 价格&库存

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