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1N4006G

1N4006G

  • 厂商:

    EIC

  • 封装:

  • 描述:

    1N4006G - GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON RECTIFIERS - EIC discrete Semiconductors

  • 详情介绍
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  • 价格&库存
1N4006G 数据手册
1N4001G - 1N4007G BY133G PRV : 50 - 1000 Volts Io : 1.0 Ampere FEATURES : * * * * * * Glass passivated chip High current capability High reliability Low reverse current Low forward voltage drop Pb / RoHS Free GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON RECTIFIERS DO - 41 0.107 (2.7) 0.080 (2.0) 1.00 (25.4) MIN. 0.205 (5.2) 0.166 (4.2) MECHANICAL DATA : * Case : DO-41 Molded plastic * Epoxy : UL94V-O rate flame retardant * Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202, Method 208 guaranteed * Polarity : Color band denotes cathode end * Mounting position : Any * Weight : 0.34 gram 0.034 (0.86) 0.028 (0.71) 1.00 (25.4) MIN. Dimensions in inches and ( millimeters ) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%. RATING Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage Maximum RMS Voltage Maximum DC Blocking Voltage Maximum Average Forward Current 0.375"(9.5mm) Lead Length Ta = 75 °C Peak Forward Surge Current 8.3ms Single half sine wave Superimposed on rated load (JEDEC Method) Maximum Forward Voltage at IF = 1.0 Amp. Maximum DC Reverse Current at rated DC Blocking Voltage Ta = 25 °C Ta = 100 °C SYMBOL VRRM VRMS VDC IF(AV) IFSM VF IR IR(H) CJ RθJA TJ TSTG 1N 1N 1N 1N 1N 1N 1N 4001G 4002G 4003G 4004G 4005G 4006G 4007G 50 100 200 400 600 800 1000 35 50 70 100 140 200 280 400 1.0 30 1.0 5.0 50 8 45 - 65 to + 175 - 65 to + 175 420 600 560 800 700 1000 BY 133G 1300 910 1300 UNIT V V V A A V µA µA pF °C/W °C °C Typical Junction Capacitance (Note1) Typical Thermal Resistance (Note2) Junction Temperature Range Storage Temperature Range Notes : (1) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0VDC (2) Thermal resistance from Junction to Ambient at 0.375" (9.5mm) Lead Lengths, P.C. Board Mounted. Page 1 of 2 Rev. 02 : March 25, 2005 RATING AND CHARACTERISTIC CURVES ( 1N4001G - BY133G ) FIG.1 - DERATING CURVE FOR OUTPUT RECTIFIED CURRENT AVERAGE FORWARD OUTPUT CURRENT, AMPERES 1.0 30 FIG.2 - MAXIMUM NON-REPETITIVE PEAK FORWARD SURGE CURRENT PEAK FORWARD SURGE CURRENT, AMPERES Ta = 25 °C 24 0.8 0.6 18 0.4 12 0.2 6 0 0 25 50 75 100 125 150 175 0 1 2 4 6 10 20 40 60 100 AMBIENT TEMPERATURE, ( °C) NUMBER OF CYCLES AT 60Hz FIG.3 - TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS REVERSE CURRENT, MICROAMPERES FORWARD CURRENT, AMPERES FIG.4 - TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS 10 10 Ta = 100 °C 1.0 1.0 Pulse Width = 300 µs 2% Duty Cycle 0.1 TJ = 25 °C 0.1 Ta = 25 °C 0.01 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 0.01 0 20 40 60 80 100 120 140 FORWARD VOLTAGE, VOLTS PERCENT OF RATED REVERSE VOLTAGE, (%) Page 2 of 2 Rev. 02 : March 25, 2005
1N4006G
1. 物料型号: - 1N4001G - 1N4007G BY133G

2. 器件简介: - 这些是玻璃钝化结硅整流器,具有高电流能力、高可靠性、低反向电流、低正向电压降,并且不含铅/符合RoHS标准。

3. 引脚分配: - 器件采用DO-41封装,具有轴向可焊引脚,符合MIL-STD-202标准。

4. 参数特性: - 最大重复峰值反向电压(VRRM):50V至1300V不等。 - 最大RMS电压(VRMS):35V至910V不等。 - 最大直流阻断电压(VDc):50V至1300V不等。 - 最大平均正向电流(IF(AV)):1.0A(仅1N4004G)。 - 正向峰值浪涌电流(IFSM):30A(仅1N4003G)。 - 最大正向电压(VF):1.0V(仅1N4001G)。 - 最大直流反向电流(IR):5.0μA(仅1N4002G)。 - 额定直流阻断电压下100°C时的最大直流反向电流(IR(H)):50μA。 - 典型结电容(CJ):8pF(仅1N4001G)。 - 典型热阻(ROJA):45°C/W(仅1N4001G)。 - 结温范围(TJ):-65°C至+175°C。 - 储存温度范围(TSTG):-65°C至+175°C(仅1N4002G)。

5. 功能详解: - 这些整流器适用于单相、半波、60Hz的电阻性或感性负载。对于电容性负载,需要将电流降低20%。它们具有玻璃钝化芯片,可以在高温下稳定工作,并具有低正向电压降和低反向电流的特性。

6. 应用信息: - 这些整流器适用于需要高可靠性和高电流能力的整流应用,如电源、电机控制和电力传输系统。

7. 封装信息: - 采用DO-41塑封封装,环氧树脂材料符合UL94V-0级别的阻燃等级。
1N4006G 价格&库存

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