1N5822

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EIC
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1N5822 - SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER DIODES - EIC discrete Semiconductors

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1N5820 - 1N5822 PRV : 20 - 40 Volts IO : 3.0 Ampere FEATURES : * * * * * * * * High current capability High surge current capability High reliability High efficiency Low power loss Low cost Low forward voltage drop Pb / RoHS Free SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER DIODES DO-201AD 0.21 (5.33) 0.19 (4.82) 1.00 (25.4) MIN. 0.375 (9.52) 0.285 (7.24) 0.052 (1.32) 0.048 (1.22) 1.00 (25.4) MIN. MECHANICAL DATA : * Case : DO-201AD Molded plastic * Epoxy : UL94V-O rate flame retardant * Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202, Method 208 guaranteed * Polarity : Color band denotes cathode end * Mounting position : Any * Weight : 1.1 grams Dimensions in inches and ( millimeters ) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%. RATING Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage Maximum RMS Voltage Maximum DC Blocking Voltage Maximum Average Forward Current 0.375", 9.5mm Lead Length at TL = 95 °C Maximum Peak Forward Surge Current, 8.3ms single half sine wave Superimposed on rated load (JEDEC Method) TL = 75°C Maximum Forward Voltage at IF = 3.0 A (Note 1) Maximum Reverse Current at Rated DC Blocking Voltage (Note 1) Typical Thermal Resistance (Note 2) Junction Temperature Range Storage Temperature Range Ta = 25 °C Ta = 100 °C SYMBOL 1N5820 VRRM VRMS VDC IF(AV) 20 14 20 1N5821 30 21 30 3.0 1N5822 40 28 40 UNIT V V V A IFSM VF IR IR(H) RθJL TJ TSTG 0.475 80 0.500 2.0 20 20 - 65 to + 125 - 65 to + 125 0.525 A V mA mA °C/W °C °C Notes : (1) Pulse Test : Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle = 2%. (2) Thermal Resistance from Junction to Lead Vertical PC Board Mounting, 0.5" (12.5mm) Lead Lengths with 2.5 in2 (63.5mm2) copper pads. Page 1 of 2 Rev. 02 : March 25, 2005 RATING AND CHARACTERISTIC CURVES ( 1N5820 - 1N5822 ) FIG.1 - FORWARD CURRENT DERATING CURVE AVERAGE FORWARD CURRENT, AMPERES 3.0 FIG.2 - MAXIMUM NON-REPETITIVE PEAK FORWARD SURGE CURRENT 100 PEAK FORWARD SURGE CURRENT, AMPERES 20 40 60 80 100 120 140 2.4 80 1.8 60 1.2 40 0.6 20 0 0 0 1 2 4 6 10 20 40 60 100 LEAD TEMPERATURE, (°C) NUMBER OF CYCLES AT 60Hz FIG.3 - TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS 20 FIG.4 - TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS REVERSE CURRENT, MILLIAMPERES 10 TJ= 100 °C FORWARD CURRENT, AMPERES 1N582 10 1N582 1.0 1N5821 1 0.1 TJ = 25 °C TJ = 25 °C PULSE WIDTH = 300µ s 0.1 0.1 0.01 0 20 40 60 80 100 120 140 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 PERCENT OF RATED REVERSE VOLTAGE, (%) FORWARD VOLTAGE, VOLTS Page 2 of 2 Rev. 02 : March 25, 2005

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1N5822

1. 物料型号： - 1N5820 - 1N5821 - 1N5822

2. 器件简介： - 这些是肖特基势垒整流二极管，封装为DO-201AD。它们具有高电流能力、高浪涌电流能力、高可靠性、高效率、低功耗、低成本和低正向电压降等特点，并且是无铅/无RoHS的。

3. 引脚分配： - 根据机械数据，这些二极管具有轴向引脚，并且极性由色带表示阴极端。

4. 参数特性： - 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1N5820为20V，1N5821为30V，1N5822为40V。 - 最大RMS电压（VRMS）：1N5820为14V，1N5821为21V，1N5822为28V。 - 最大DC阻断电压（Voc）：1N5820为20V，1N5821为30V，1N5822为40V。 - 最大平均正向电流（IF(AV)）：1N5821为3.0A。 - 最大正向浪涌电流（IFSM）：1N5820为80A。 - 最大正向电压（VF）：1N5820为0.475V，1N5821为0.500V，1N5822为0.525V。 - 最大反向电流（IR）：1N5820为2.0mA。 - 额定DC阻断电压下的最大反向电流（IR(H)）：1N5820为20mA。 - 典型热阻（ROJL）：1N5820为20°C/W。 - 结温范围（TJ）：1N5820为65 to +125°C。 - 储存温度范围（TSTG）：1N5822为-65 to +125°C。

5. 功能详解： - 这些二极管适用于单相、半波、60Hz的电阻性或感性负载。对于电容性负载，电流需降低20%。它们在正向偏置时具有低电压降，在反向偏置时具有高阻断能力。

6. 应用信息： - 这些二极管适用于需要高效率和高可靠性的整流应用，如电源、电机驱动和太阳能光伏系统。

7. 封装信息： - 封装类型为DO-201AD，塑封塑料环氧树脂，UL94V-0级阻燃。引脚为轴向引脚，可按照MIL-STD-202方法208保证焊接。

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