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1S1888

1S1888

  • 厂商:

    EIC

  • 封装:

  • 描述:

    1S1888 - SILICON RECTIFIER DIODES - EIC discrete Semiconductors

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1S1888 数据手册
1S1885 ~ 1S1888 PRV : 100 ~ 600 Volts Io : 1.0 Ampere FEATURES : * * * * * * High current capability High surge current capability High reliability Low reverse current Low forward voltage drop Pb / RoHS Free SILICON RECTIFIER DIODES D2 0.161 (4.10) 0.154 (3.90) 1.00 (25.4) MIN. 0.284 (7.20) 0.268 (6.84) MECHANICAL DATA : * Case : D2 Molded plastic * Epoxy : UL94V-O rate flame retardant * Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202, Method 208 guaranteed * Polarity : Color band denotes cathode end * Mounting position : Any * Weight : 0.465 gram 0.034 (0.86) 0.028 (0.71) 1.00 (25.4) MIN. Dimensions in inches and ( millimeters ) Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specifie. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%. MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS RATING Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage Maximum Average Forward Current Ta = 65 °C Maximum Peak One Cycle Surge Forward Current SYMBOL 1S1885 VRRM IF IFSM 100 1S1886 200 1S1887 400 1S1888 600 UNIT V A A 1.0 60 (50Hz) 66 (60Hz) (Non-repetitive) Maximum Forward Voltage at I F = 1.5 A. Maximum Repetitive Peak Reverse Current (V RRM = Rated) Maximum Thermal Resistance (Junction to Ambient) Junction Temperature Range Storage Temperature Range VF IR IR(H) Rth (j-a) TJ TSTG 1.2 10 400 (Tj = 150 °C) 100 - 40 to + 150 - 40 to + 150 V μA °C/W °C °C Page 1 of 2 Rev. 02 : March 25, 2005 RATING AND CHARACTERISTIC CURVES ( 1S1885 - 1S1888 ) FIG.1 - DERATING CURVE FOR OUTPUT RECTIFIED CURRENT 1.0 75 FIG.2 - MAXIMUM NON-REPETITIVE PEAK FORWARD SURGE CURRENT Tj = 25 °C 60 60 Hz 45 AVERAGE FORWARD OUTPUT CURRENT, AMPERES 0.8 0.6 CAPACITIVE LOAD 0.4 PEAK FORWARD SURGE CURRENT, AMPERES RESISTIVE OR INDUCTIVE LOAD 30 50 Hz 15 0.2 0 0 25 50 75 100 125 150 175 0 1 2 4 6 10 20 40 60 100 AMBIENT TEMPERATURE, ( °C) NUMBER OF CYCLES AT 50 Hz AND 60Hz FIG.3 - TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS 20 10 FORWARD CURRENT, AMPERES TJ = 25 °C 1 0.1 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 FORWARD VOLTAGE, VOLTS Page 2 of 2 Rev. 02 : March 25, 2005
1S1888
1. 物料型号: - 1S1885、1S1886、1S1887、1S1888,这些是硅整流二极管的型号。

2. 器件简介: - 这些是硅整流二极管,具有高电流能力、高浪涌电流能力、高可靠性、低反向电流和低正向电压降等特点,并且符合Pb/RoHS Free标准。

3. 引脚分配: - 引脚为轴向引脚,可焊接,符合MIL-STD-202标准,极性通过色带表示阴极端。

4. 参数特性: - 最大重复峰值反向电压(VRRM):1S1885为100V,1S1886为200V,1S1887为400V,1S1888为600V。 - 最大平均正向电流(IF):在65°C时为1.0A。 - 最大正向电压(VF):在IF=1.5A时,1S1885为1.2V。 - 最大重复峰值反向电流(IR):1S1887为10A。 - 最大热阻(Rth(-a)):1S1886为100°C/W。 - 结温范围(TJ):1S1886为-40至+150°C。 - 储存温度范围(TSTG):-40至+150°C。

5. 功能详解应用信息: - 这些二极管适用于单相、半波、60Hz的电阻性或感性负载。对于电容性负载,需要将电流降低20%。它们可以用于整流电路,将交流电转换为直流电。

6. 封装信息: - 封装为D2型塑封,环氧树脂为UL94V-0级阻燃材料,引脚为轴向引脚,重量为0.465克。
1S1888 价格&库存

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