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BY254

BY254

  • 厂商:

    EIC

  • 封装:

  • 描述:

    BY254 - SILICON RECTIFIER DIODES - EIC discrete Semiconductors

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  • 价格&库存
BY254 数据手册
BY251 - BY255 PRV : 200 - 1300 Volts Io : 3.0 Amperes FEATURES : * * * * * High current capability High surge current capability High reliability Low reverse current Low forward voltage drop SILICON RECTIFIER DIODES DO - 201AD 1.00 (25.4) MIN. 0.21 (5.33) 0.19 (4.83) 0.375 (9.53) 0.285 (7.24) MECHANICAL DATA : * Case : DO-201AD Molded plastic * Epoxy : UL94V-O rate flame retardant * Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202, Method 208 guaranteed * Polarity : Color band denotes cathode end * Mounting position : Any * Weight : 0.929 grams 0.052 (1.32) 0.048 (1.22) 1.00 (25.4) MIN. Dimensions in inches and ( millimeters ) Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%. MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS RATING Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage Maximum RMS Voltage Maximum DC Blocking Voltage Maximum Average Forward Current 0.375"(9.5mm) Lead Length Ta = 50 °C Peak Forward Surge Current 8.3ms Single half sine wave Superimposed on rated load (JEDEC Method) Maximum Forward Voltage at IF = 3.0 Amps. Maximum DC Reverse Current at rated DC Blocking Voltage Ta = 25 °C Ta = 100 °C SYMBOL VRRM VRMS VDC IF BY251 200 140 200 BY252 400 280 400 BY253 600 420 600 3.0 BY254 800 560 800 BY255 1300 910 1300 UNIT V V V A IFSM VF IR IR(H) CJ RθJA TJ TSTG 100 1.1 20 50 50 18 - 65 to + 175 - 65 to + 175 A V µA µA pF °C/W °C °C Typical Junction Capacitance (Note1) Typical Thermal Resistance (Note2) Junction Temperature Range Storage Temperature Range Notes : (1) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC (2) Thermal resistance from Junction to Ambient at 0.375" (9.5mm) Lead Lengths, P.C. Board Mounted. Page 1 of 2 Rev. 01 : Mar 23, 2002 R ATING AND CHARACTERISTIC CURVES ( BY251 - BY255 ) FIG.1 - DERATING CURVE FOR OUTPUT RECTIFIED CURRENT 3.0 FIG.2 - MAXIMUM NON-REPETITIVE PEAK FORWARD SURGE CURRENT 100 AVERAGE FORWARD OUTPUT CURRENT, AMPERES PEAK FORWARD SURGE CURRENT, AMPERES Ta = 25 ° C 80 2.4 1.8 60 1.2 40 0.6 20 NON-REPETITIVE 0 0 25 50 75 100 125 150 175 0 1 2 4 6 10 20 40 60 100 AMBIENT TEMPERATURE, ( ° C) FIG.3 - TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS JUNCTION CAPACITANCE, (pF) NUMBER OF CYCLES AT 60Hz FIG 4 . - TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE 100 100 50 FORWARD CURRENT, AMPERES T J = 25 °C 10 10 5 Pulse W idth = 300 µs 2% Duty Cycle 1.0 T J = 25 °C 1 1 2 4 10 20 40 100 REVERSE VOLTAGE, VOLTS 0.1 REVERSE CURRENT, MICROAMPERES F IG. 5 - TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS 10 0.01 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 F ORWARD VOLTAGE, VOLTS Ta = 100 ° C 1.0 0.1 Ta = 25 ° C 0.01 0 20 40 60 80 100 120 140 PERCENT OF RATED REVERSE VOLTAGE, (%) P age 2 of 2 Rev. 01 : Mar 23, 2003
BY254
1. 物料型号: - 型号包括BY251、BY252、BY253、BY254和BY255。

2. 器件简介: - 这些是硅整流二极管,具有高电流能力、高浪涌电流能力、高可靠性、低反向电流和低正向电压降的特点。

3. 引脚分配: - 引脚为轴向引脚,可按照MIL-STD-202标准进行焊接。

4. 参数特性: - 最大重复峰值反向电压(VRRM):200V至1300V不等。 - 最大RMS电压(VRMS):140V至910V不等。 - 最大直流阻断电压(VDc):200V至1300V不等。 - 最大平均正向电流(IF):3.0A(仅BY253型号)。 - 正向浪涌电流(IFSM):100A(仅BY253型号)。 - 最大正向电压(VF):1.1V(仅BY253型号)。 - 最大直流反向电流(IR):20A(仅BY253型号)。 - 在额定直流阻断电压下,25°C时的最大直流反向电流(IR(H)):50A(仅BY253型号)。 - 典型结电容(CJ):50pF(仅BY253型号)。 - 典型热阻(ROJA):18°C/W(仅BY253型号)。 - 结温范围(TJ):-65至+175°C。 - 储存温度范围(TSTG):-65至+175°C。

5. 功能详解: - 这些二极管适用于单相、半波、60Hz的电阻性或感性负载。对于电容性负载,需要将电流降低20%。它们还具有特定的正向和反向特性曲线。

6. 应用信息: - 这些二极管适用于需要高电流和高可靠性的整流应用。

7. 封装信息: - 封装为DO-201AD模塑塑料,环氧树脂为UL94V-0级阻燃材料。极性通过颜色带表示阴极端,安装位置为任意。
BY254 价格&库存

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