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BYT52G

BYT52G

  • 厂商:

    EIC

  • 封装:

  • 描述:

    BYT52G - FAST RECOVERY RECTIFIERS - EIC discrete Semiconductors

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
BYT52G 数据手册
BYT52A - BYT52M PRV : 50 - 1000 Volts Io : 1.4 Amperes FEATURES : * * * * * * * High current capability High surge current capability High reliability Low reverse current Low forward voltage drop Fast switching for high efficiency Pb / RoHS Free FAST RECOVERY RECTIFIERS D2 0.161 (4.1) 0.154 (3.9) 1.00 (25.4) MIN. 0.284 (7.2) 0.268 (6.8) 0.034 (0.86) 0.028 (0.71) 1.00 (25.4) MIN. MECHANICAL DATA : * Case : D2 Molded plastic * Epoxy : UL94V-O rate flame retardant * Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202, Method 208 guaranteed * Polarity : Color band denotes cathode end * Mounting position : Any * Weight : 0.465 gram Dimensions in inches and ( millimeters ) Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified. MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS RATING Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage Maximum Reverse Voltage Maximum Average Forward Current Maximum Peak Forward Surge Current, ( tp = 10 ms, half sinewave) Maximum Forward Voltage at IF = 1.0 A Maximum Reverse Current ( VR = VRRM) Maximum Reverse Recovery Time (IF = 0.5 A, IR = 1.0 A, Irr = 0.25 A.) Maximum Junction Ambient Thermal Resistance ( L = 10mm, TL = Constant ) Junction Temperature Range Storage Temperature Range TJ TSTG - 65 to + 175 - 65 to + 175 °C °C SYMBOL VRRM VR IF(AV) IFSM VF IR IR(H) Trr RthJA BYT 52A 50 50 BYT 52B 100 100 BYT 52D 200 200 BYT 52G 400 400 BYT 52J 600 600 BYT 52K 800 800 BYT 52M 1000 1000 UNIT V V A A V µA µA ns K/W 0.85 (on PC Board) 1.4 ( L = 10 mm, TL = 25°C) 50 1.3 10 (Tj = 25°C) 150 (Tj = 150°C) 200 45 Note : (1) Reverse Recovery Test Conditions Page 1 of 2 Rev. 03 : October 5, 2005 RATING AND CHARACTERISTIC CURVES ( BAT52A - BAT52M ) FIG.1 - REVERSE RECOVERY TIME CHARACTERISTIC AND TEST CIRCUIT DIAGRAM 50 Ω 10 Ω + 0.5 D.U.T. 50 Vdc (approx) 1Ω PULSE GENERATOR ( NOTE 2 ) OSCILLOSCOPE ( NOTE 1 ) 0 - 0.25 Trr + - 1.0 A SET TIME BASE FOR 25-35 ns/cm NOTES : 1. Rise Time = 7 ns max., Input Impedance = 1 megaohm, 22 pF. 2. Rise time = 10 ns max., Source Impedance = 50 ohms. 3. All Resistors = Non-inductive Types. 1 FIG.2 - DERATING CURVE FOR OUTPUT RECTIFIED CURRENT AVERAGE FORW ARD OUTPUT CURRENT, AMPERES 2.0 100 VR = VRRM half sinewave RthJA = 45K/W L = 10 mm FIG.3 - MAXIMUM THERMAL RESISTANCE vs. LEAD LENGTH 1.6 RthJA - Therm . Resist. Junction/Am bient (K/W ) 80 1.2 60 0.8 40 L L 0.4 20 TL = constant 0 0 25 50 75 100 125 150 175 0 0 5 10 15 20 25 30 35 40 AMBIENT TEMPERATURE, ( °C) FIG.4 - TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS 10 1000 L , Lead Length (mm) FIG.5 - REVERSE CURRENT vs. JUNCTION TEMPERATURE IR, REVERSE CURRENT(µA) FORW ARD CURRENT, AMPERES 1.0 TJ = 25 °C 10 0.1 10 0.01 1 0.01 25 50 75 100 125 150 175 200 Tj, JUNCTION TEMPERATURE 0.001 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 FORWARD VOLTAGE, VOLTS Page 2 of 2 Rev. 03 : October 5, 2005
BYT52G
### 物料型号 - 型号包括:BYT52A、BYT52B、BYT52D、BYT52G、BYT52J、BYT52K、BYT52M。

### 器件简介 - 快速恢复整流器,具有高电流能力、高浪涌电流能力、高可靠性、低反向电流、低正向电压降、快速开关以提高效率,且无铅/符合RoHS标准。

### 引脚分配 - 引脚为轴向引线,可焊接,符合MIL-STD-202标准。

### 参数特性 - 工作电压:50至1000伏特。 - 电流:1.4安培。 - 特点包括高电流能力、高浪涌电流能力等。 - 最大重复峰值反向电压(VRRM):50至1000伏特。 - 最大平均正向电流(IF(AV)):1.4安培。 - 最大正向浪涌电流(tp=10毫秒,半正弦波):50安培。 - 最大正向电压在IF=1.0A时(VF):1.3伏特。 - 最大反向电流(IR):10微安(在25°C时)。 - 最大反向恢复时间(Trr):200纳秒。

### 功能详解 - 快速恢复整流器用于整流应用,能快速从导通状态恢复到阻断状态,减少能量损耗,提高效率。

### 应用信息 - 适用于需要快速整流和高效率的应用,如电源、电机控制等。

### 封装信息 - 封装为D2模塑塑料,环氧树脂材料等级为UL94V-0级阻燃,轴向引线可焊,安装位置任意,重量为0.465克。
BYT52G 价格&库存

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