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BZX55B22

BZX55B22

  • 厂商:

    EIC

  • 封装:

  • 描述:

    BZX55B22 - SILICON ZENER DIODES - EIC discrete Semiconductors

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  • 数据手册
  • 价格&库存
BZX55B22 数据手册
BZX55B2V0 ~ BZX55B100 VZ : 2.0 - 100 Volts PD : 500 mW SILICON ZENER DIODES DO - 35 0.079(2.0 )max. 1.00 (25.4) min. FEATURES : * Complete 2.0 to 100 Volts * High surge current capability * High peak reverse power dissipation * High reliability * Low leakage current * Zener Voltage tolerance is ± 2% * Pb / RoHS Free 0.150 (3.8) max. 0.020 (0.52)max. 1.00 (25.4) min. Dimensions in inches and ( millimeters ) MECHANICAL DATA * Case : Molded glass * Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202, method 208 guaranteed * Polarity : Color band denotes cathode end. When operated in zener mode, cathode will be positive with respect to anode * Mounting position : Any * Weight : 0.13 gram (approx.) MAXIMUM RATINGS Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified Rating Power Dissipation (Note1) Maximum Forward Voltage at IF =100 mA Maximum Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note1) Junction Temperature Range Storage Temperature Range Symbol PD VF RθJA Tj Ts Value 500 1.0 300 - 65 to + 200 - 65 to + 200 Unit mW V °C/W °C °C Note : (1) Valid provided that leads at a distance of 3/8” from case are kept at ambient temperature. Page 1 of 2 Rev. 05 : June 25, 2005 ELECTRICAL CHARACTERISTICS Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified Zener Voltage Type Number BZX55B2V0 BZX55B2V2 BZX55B2V4 BZX55B2V7 BZX55B3V0 BZX55B3V3 BZX55B3V6 BZX55B3V9 BZX55B4V3 BZX55B4V7 BZX55B5V1 BZX55B5V6 BZX55B6V2 BZX55B6V8 BZX55B7V5 BZX55B8V2 BZX55B9V1 BZX55B10 BZX55B11 BZX55B12 BZX55B13 BZX55B14 BZX55B15 BZX55B16 BZX55B18 BZX55B20 BZX55B22 BZX55B24 BZX55B27 BZX55B30 BZX55B33 BZX55B36 BZX55B39 BZX55B43 BZX55B47 BZX55B51 BZX55B56 BZX55B62 BZX55B68 BZX55B75 BZX55B82 BZX55B91 BZX55B100 Maximum Zener Impedance IZT ZZT @ IZT ZZk @ IZK (mA) (Ω ) (Ω ) 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 1.0 1.0 85 85 85 85 85 85 85 85 75 60 35 25 10 8 7 7 10 15 20 20 26 28 30 40 50 55 55 80 80 80 80 80 90 90 110 125 135 150 200 250 300 450 450 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 550 450 200 150 50 50 50 70 70 90 110 110 110 170 170 220 220 220 220 220 220 220 500 500 600 700 700 1000 1000 1000 1500 2000 5000 Maximum Reverse Leakage Current, IR IZK (mA) 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.1 0.1 Ta=25°C Ta=150°C Temp. coefficient Admissible of Zener Voltage TKVZ (% / K) -0.09...-0.06 -0.09...-0.06 -0.09...-0.06 -0.09...-0.06 -0.08...-0.05 -0.08...-0.05 -0.08...-0.05 -0.08...-0.05 -0.06...-0.03 -0.05...+0.02 -0.02...+0.02 -0.05...+0.05 0.03...0.06 0.03...0.07 0.03...0.07 0.03...0.08 0.03...0.09 0.03...0.10 0.03...0.11 0.03...0.11 0.03...0.11 0.03...0.11 0.03...0.11 0.03...0.11 0.03...0.11 0.03...0.11 0.04...0.12 0.04...0.12 0.04...0.12 0.04...0.12 0.04...0.12 0.04...0.12 0.04...0.12 0.04...0.12 0.04...0.12 0.04...0.12 typ. 0.1(3) typ. 0.1(3) typ. 0.1(3) typ. 0.1(3) typ. 0.1(3) typ. 0.1(3) typ. 0.1(3) VZ @ IZT Nom (V) 2.0 2.2 2.4 2.7 3.0 3.3 3.6 3.9 4.3 4.7 5.1 5.6 6.2 6.8 7.5 8.2 9.1 10 11 12 13 14 15 16 18 20 22 24 27 30 33 36 39 43 47 51 56 62 68 75 82 91 100 1) Zener Current(2) IZM (mA) 175 160 145 135 125 115 105 95 90 85 80 70 64 58 53 47 43 40 36 32 29 28 27 24 21 20 18 16 14 13 12 11 10 9.2 8.5 7.8 7.0 6.4 5.9 5.3 4.8 4.4 4.0 Min (V) 2) Max (V) 2) (µA) 100 50 50 10 4.0 2.0 2.0 2.0 1.0 0.5 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 (µA) 200 100 100 50 40 40 40 40 20 10 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 5.0 5.0 5.0 10 10 10 10 10 10 10 10 at VR (V) 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 2.0 3.0 5.0 6.2 6.8 7.5 8.2 9.1 10.0 10.5 11 12 13 15 16 18 20 22 24 27 30 33 36 39 43 47 51 56 62 68 75 1.96 2.15 2.35 2.65 2.94 3.23 3.53 3.82 4.21 4.61 5.00 5.49 6.08 6.66 7.35 8.04 8.92 9.80 10.8 11.8 12.7 13.7 14.7 15.7 17.6 19.6 21.6 23.5 26.5 29.4 32.3 35.3 38.2 42.1 46.1 50.0 54.9 60.8 66.6 73.5 80.4 89.2 98.0 2.04 2.25 2.45 2.75 3.06 3.37 3.67 3.98 4.39 4.8 5.2 5.7 6.32 6.94 7.65 8.36 9.28 10.2 11.2 12.2 13.3 14.3 15.3 16.3 18.4 20.4 22.4 24.5 27.5 30.6 33.7 36.7 39.8 43.9 47.9 52 57.1 63.2 69.4 76.5 83.6 92.8 102 Notes: 1) Tested with pulses tp = 20 ms 2) Valid Provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 8 mm from case 3) at Iz = 2.5 mA Page 2 of 2 Rev. 05 : June 25, 2005
BZX55B22
1. 物料型号: - BZX55B2V0、BZX55B2V2、BZX55B2V4、BZX55B2V7、BZX55B100

2. 器件简介: - 这些是硅齐纳二极管,工作电压范围从2.0到100伏特,功率耗散为500毫瓦,封装形式为DO-35。

3. 引脚分配: - 根据机械数据,这些器件具有轴向引脚,可按照MIL-STD-202标准,方法208进行焊接,并且通过颜色带标识阴极端。在齐纳模式下,阴极相对于阳极为正。

4. 参数特性: - 包括完整的2.0至100伏特电压范围、高浪涌电流能力、高峰值反向功率耗散、高可靠性、低漏电流、齐纳电压公差为2%,且不含铅/符合RoHS标准。

5. 功能详解应用信息: - 这些齐纳二极管主要用于电压稳定和过压保护。它们可以在任何安装位置工作,重量大约为0.13克。

6. 封装信息: - 封装类型为模塑玻璃,引脚为轴向引脚,可焊性符合MIL-STD-202标准,方法208保证。齐纳二极管的封装尺寸以英寸和毫米为单位提供。
BZX55B22 价格&库存

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