BZX55C82

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EIC
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BZX55C82 - SILICON ZENER DIODES - EIC discrete Semiconductors

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BZX55C2V0 ~ BZX55C100 VZ : 2.0 - 100 Volts PD : 500 mW SILICON ZENER DIODES DO - 35 0.079(2.0 )max. 1.00 (25.4) min. FEATURES : * Complete 2.0 to 100 Volts * High surge current capability * High peak reverse power dissipation * High reliability * Low leakage current * Pb / RoHS Free 0.150 (3.8) max. 0.020 (0.52)max. 1.00 (25.4) min. Dimensions in inches and ( millimeters ) MECHANICAL DATA * Case : Molded glass * Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202, method 208 guaranteed * Polarity : Color band denotes cathode end. When operated in zener mode, cathode will be positive with respect to anode * Mounting position : Any * Weight : 0.13 gram (approx.) MAXIMUM RATINGS Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified Rating Power Dissipation (Note1) Maximum Forward Voltage at IF =100 mA Maximum Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note1) Junction Temperature Range Storage Temperature Range Symbol PD VF RθJA Tj Ts Value 500 1.0 300 - 65 to + 200 - 65 to + 200 Unit mW V °C/W °C °C Note : (1) Valid provided that leads at a distance of 3/8” from case are kept at ambient temperature. Page 1 of 2 Rev. 05 : June 25, 2005 ELECTRICAL CHARACTERISTICS Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified Zener Voltage Type Number BZX55C2V0 BZX55C2V2 BZX55C2V4 BZX55C2V7 BZX55C3V0 BZX55C3V3 BZX55C3V6 BZX55C3V9 BZX55C4V3 BZX55C4V7 BZX55C5V1 BZX55C5V6 BZX55C6V2 BZX55C6V8 BZX55C7V5 BZX55C8V2 BZX55C9V1 BZX55C10 BZX55C11 BZX55C12 BZX55C13 BZX55C14 BZX55C15 BZX55C16 BZX55C18 BZX55C20 BZX55C22 BZX55C24 BZX55C27 BZX55C30 BZX55C33 BZX55C36 BZX55C39 BZX55C43 BZX55C47 BZX55C51 BZX55C56 BZX55C62 BZX55C68 BZX55C75 BZX55C82 BZX55C91 BZX55C100 Maximum Zener Impedance IZT ZZT @ IZT ZZk @ IZK (mA) (Ω ) (Ω ) 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 1.0 1.0 85 85 85 85 85 85 85 85 75 60 35 25 10 8 7 7 10 15 20 20 26 28 30 40 50 55 55 80 80 80 80 80 90 90 110 125 135 150 200 250 300 450 450 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 550 450 200 150 50 50 50 70 70 90 110 110 110 170 170 220 220 220 220 220 220 220 500 500 600 700 700 1000 1000 1000 1500 2000 5000 Maximum Reverse Leakage Current, IR IZK (mA) 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.25 0.1 0.1 Ta=25°C Ta=150°C Temp. coefficient Admissible of Zener Voltage TKVZ (% / K) -0.09...-0.06 -0.09...-0.06 -0.09...-0.06 -0.09...-0.06 -0.08...-0.05 -0.08...-0.05 -0.08...-0.05 -0.08...-0.05 -0.06...-0.03 -0.05...+0.02 -0.02...+0.02 -0.05...+0.05 0.03...0.06 0.03...0.07 0.03...0.07 0.03...0.08 0.03...0.09 0.03...0.10 0.03...0.11 0.03...0.11 0.03...0.11 0.03...0.11 0.03...0.11 0.03...0.11 0.03...0.11 0.03...0.11 0.04...0.12 0.04...0.12 0.04...0.12 0.04...0.12 0.04...0.12 0.04...0.12 0.04...0.12 0.04...0.12 0.04...0.12 0.04...0.12 typ. 0.1(4) typ. 0.1(4) typ. 0.1(4) typ. 0.1(4) typ. 0.1(4) typ. 0.1(4) typ. 0.1(4) VZ @ IZT Nom (V) 2.0 2.2 2.4 2.7 3.0 3.3 3.6 3.9 4.3 4.7 5.1 5.6 6.2 6.8 7.5 8.2 9.1 10 11 12 13 14 15 16 18 20 22 24 27 30 33 36 39 43 47 51 56 62 68 75 82 91 100 1) Zener Current(2) IZM (mA) 175 160 145 135 125 115 105 95 90 85 80 70 64 58 53 47 43 40 36 32 29 28 27 24 21 20 18 16 14 13 12 11 10 9.2 8.5 7.8 7.0 6.4 5.9 5.3 4.8 4.4 4.0 Min (V) 1.9 2) Max (V) 2.1 2) (µA) 100 50 50 10 4.0 2.0 2.0 2.0 1.0 0.5 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 (µA) 200 100 100 50 40 40 40 40 20 10 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 5.0 5.0 5.0 10 10 10 10 10 10 10 10 at VR (V) 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 2.0 3.0 5.0 6.2 6.8 7.5 8.2 9.1 10.0 10.5 11 12 13 15 16 18 20 22 24 27 30 33 36 39 43 47 51 56 62 68 75 2.08 2.28 2.5 2.8 3.1 3.4 3.7 4.0 4.4 4.8 5.2 5.8 6.4 7.0 7.7 8.5 9.4 10.4 11.4 12.4 13.1 13.8 15.3 16.8 18.8 20.8 22.8 25.1 28 31 34 37 40 44 48 52 58 64 70 77 85 94 2.41 2.56 2.9 3.2 3.5 3.8 4.1 4.6 5.0 5.4 6.0 6.6 7.2 7.9 8.7 9.6 10.6 11.6 12.7 14.1 15.0 15.6 17.1 19.1 21.2 23.3 25.6 28.9 32 35 38 41 46 50 54 60 66 72 79 87 96 106 Notes: 1) Tested with pulses tp = 20 ms 2) Valid Provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 8 mm from case 3) For ± 2% tolerance altered the sixth letter of type from "C" to be "B" (4) at Iz = 2.5 mA Page 2 of 2 Rev. 05 : June 25, 2005

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BZX55C82

1. 物料型号： - BZX55C2V0 - BZX55C2V2 - BZX55C2V4 - BZX55C2V7 - BZX55C3V0 - BZX55C3V3

2. 器件简介： - 这些是硅齐纳二极管，工作电压范围从2.0到100伏特，功率耗散为500毫瓦，封装形式为DO-35。

3. 引脚分配： - 根据机械数据部分，这些二极管具有轴向引脚，可以按照MIL-STD-202方法208保证的可焊性。

4. 参数特性： - 齐纳电压（$V_z$）：2.0至100伏特 - 最大正向电压在100毫安电流下（$V_F$）：1.0伏特 - 最大热阻（$R_{OJA}$）：300°C/W - 结温范围：-65至+200°C - 储存温度范围：-65至+200°C

5. 功能详解： - 这些二极管具有高浪涌电流能力、高峰值反向功率耗散、高可靠性、低漏电流，并且符合Pb/RoHS标准。

6. 应用信息： - 这些二极管适用于需要电压稳定和保护的电路，例如电源、电压参考和过压保护。

7. 封装信息： - 封装类型：模塑玻璃 - 引脚：轴向引脚，可焊性符合MIL-STD-202方法208 - 极性：色环表示阴极端。在齐纳模式下，阴极相对于阳极为正。 - 安装位置：任意 - 重量：约0.13克

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