1. 物料型号:
- MZ55B3V0至MZ55B200,覆盖了从3.0V至200V的电压范围。
2. 器件简介:
- 该文档描述的是硅齐纳二极管(Silicon Zener Diodes),具备3.0至200伏特的完整电压范围,具有高浪涌电流能力、高峰值反向功耗、高可靠性、低漏电流等特点。
3. 引脚分配:
- 引脚为轴向引脚,可焊接,符合MIL-STD-202标准,方法208保证。
4. 参数特性:
- 功率耗散(PD):500mW
- 最大正向电压在IF=100mA时(VF):1.0V
- 最大热阻结到环境空气(ReJA):300°C/W
- 结温范围(TJ):-65至+200°C
- 储存温度范围(TSTG):-65至+200°C
5. 功能详解:
- 齐纳电压公差为±2%,无铅/无RoHS,封装为M1A塑料模塑封装,环氧树脂符合UL94V-O级阻燃等级,极性通过色带表示阴极端,可任意位置安装,重量约为0.20克。
6. 应用信息:
- 根据提供的电气特性表,列出了不同型号的齐纳二极管的齐纳电压、最大齐纳阻抗、最大反向漏电流、齐纳电压的温度系数、允许的齐纳电流等参数。
7. 封装信息:
- 封装为M1A塑料模塑封装。