### 物料型号
- 型号: MZ85C3V0~MZ85C200
- 证书编号: TH97/10561QM, TW00/17276EM
### 器件简介
- 类型: 硅齐纳二极管(Silicon Zener Diodes)
- 特点:
- 完整的电压范围:3.0至200伏特
- 高峰值反向功率耗散
- 高可靠性
- 低漏电流
- 无铅/符合RoHS标准
### 引脚分配
- 封装类型: M1A模塑塑料
- 引脚: 轴向引脚,可焊接,符合MIL-STD-202标准方法208保证
- 极性: 色带表示阴极端
- 安装位置: 任意位置
- 重量: 约0.20克
### 参数特性
- 最大额定值(25°C环境温度下):
- DC功率耗散在T=50°C时(注1): 1.3W
- 最大正向电压在I=200mA时: 1.2V
- 最大热阻(结到环境空气)(注2): 130K/W
- 结温范围: -65至+200°C
- 储存温度范围: -65至+200°C
### 功能详解和应用信息
- 电气特性(25°C环境温度下):
- 包括齐纳电压、最大齐纳电压、最大反向电压、最大直流阻抗、最大漏电流、最大反向电流等参数。
### 封装信息
- 封装: M1A模塑塑料封装
- 环氧树脂: UL94V-0级阻燃
- 引脚: 轴向引脚,可焊接