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RD24JSAB2

RD24JSAB2

  • 厂商:

    EIC

  • 封装:

  • 描述:

    RD24JSAB2 - SILICON ZENER DIODES - EIC discrete Semiconductors

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
RD24JSAB2 数据手册
RD4.7JS ~ RD39JS VZ : 4.7 - 39 Volts PD : 400 mW SILICON ZENER DIODES DO - 34 Glass FEATURES : * Complete 4.7 to 39 Volts * High peak reverse power dissipation * High reliability * Low leakage current * Pb / RoHS Free 0.078 (2.0 )max. 1.00 (25.4) min. Cathode Mark 0.118 (3.0) max. MECHANICAL DATA Case: DO-34 Glass Case Weight: approx. 0.13g 0.019 (0.50)max. 1.00 (25.4) min. Dimensions in inches and ( millimeters ) MAXIMUM RATINGS Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified Rating Power Dissipation Forward Current Junction Temperature Range Storage Temperature Range Symbol PD IF Tj Ts Value 400 150 - 55 to + 175 - 55 to + 175 Unit mW mA °C °C Derating Curve 700 Power Dissipation , PD (mW) 600 500 400 300 200 100 0 0 25 50 75 100 125 150 175 200 Ambient Temperture , Ta (°C) Page 1 of 3 Rev. 02 : March 25, 2005 ELECTRICAL CHARACTERISTICS Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified Type Number Suffix Min. AB AB1 AB2 AB3 AB AB1 AB2 AB3 AB AB1 AB2 AB3 AB AB1 AB2 AB3 AB AB1 AB2 AB3 AB AB1 AB2 AB3 AB AB1 AB2 AB3 AB AB1 AB2 AB3 AB AB1 AB2 AB3 AB AB1 AB2 AB3 AB AB1 AB2 AB3 AB AB1 AB2 AB3 AB AB1 AB2 AB3 4.42 4.42 4.55 4.69 4.84 4.84 4.98 5.14 5.31 5.31 5.49 5.67 5.86 5.86 6.06 6.26 6.47 6.47 6.65 6.86 7.06 7.06 7.28 7.52 7.76 7.76 8.02 8.28 8.56 8.56 8.85 9.15 9.45 9.45 9.77 10.11 10.44 10.44 10.76 11.10 11.42 11.42 11.74 12.08 12.47 12.47 12.91 13.37 13.84 13.84 14.34 14.85 Zener Voltage 1) VZ (V) Max. 4.90 4.61 4.75 4.90 5.37 5.04 5.20 5.37 5.92 5.55 5.73 5.92 6.53 6.12 6.33 6.53 7.14 6.73 6.93 7.14 7.84 7.36 7.60 7.84 8.64 8.10 8.36 8.64 9.55 8.93 9.23 9.55 10.55 9.87 10.21 10.55 11.56 10.88 11.22 11.56 12.60 11.90 12.24 12.60 13.69 13.03 13.49 13.96 15.52 14.46 14.98 15.52 IZ (mA) Dynamic Impedance ZZ(Ω ) Max. Iz (mA) Knee Dynamic Impedance ZZK(Ω ) Max. Iz (mA) Reverse Current IR(µA) Max. VR (V) RD4.7JS 5 100 5 800 0.5 2.0 1.0 RD5.1JS 5 80 5 500 0.5 2.0 1.5 RD5.6JS 5 60 5 200 0.5 1.0 2.5 RD6.2JS 5 60 5 100 0.5 1.0 3.0 RD6.8JS 5 40 5 60 0.5 0.5 3.5 RD7.5JS 5 30 5 60 0.5 0.5 4.0 RD8.2JS 5 30 5 60 0.5 0.5 5.0 RD9.1JS 5 30 5 60 0.5 0.5 6.0 RD10JS 5 30 5 60 0.5 0.1 7.0 RD11JS 5 30 5 60 0.5 0.1 8.0 RD12JS 5 30 5 80 0.5 0.1 9.0 RD13JS 5 37 5 80 0.5 0.1 10 RD15JS 5 42 5 80 0.5 0.1 11 ELECTRICAL CHARACTERISTICS Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified Type Number Page 2 of 3 RD16JS Suffix Min. AB AB1 AB2 AB3 AB AB1 AB2 AB3 AB AB1 AB2 AB3 AB AB1 AB2 AB3 AB AB1 AB2 AB3 AB AB1 AB2 AB3 AB AB1 AB2 AB3 AB AB1 AB2 AB3 AB AB1 AB2 AB3 AB AB1 AB2 AB3 15.37 15.37 15.85 16.35 16.94 16.94 17.56 18.21 18.86 18.86 19.52 20.21 20.88 20.88 21.54 22.23 22.93 22.93 23.72 24.54 25.20 25.20 26.19 27.21 28.22 28.22 29.19 30.20 32.18 32.18 32.15 33.13 34.12 34.12 35.07 36.07 37.04 37.04 38.00 38.99 Zener Voltage 1) VZ (V) Max. 17.09 16.01 16.51 17.09 19.03 17.70 18.53 19.03 21.08 19.70 20.39 21.08 23.17 21.77 22.47 23.17 25.57 23.96 24.78 25.57 28.61 26.50 27.53 28.61 31.74 29.66 30.69 31.74 34.83 32.78 33.79 34.83 37.91 35.86 36.87 37.91 40.99 38.94 39.94 40.99 IZ (mA) Dynamic Impedance ZZ(Ω ) Max. Iz (mA) Knee Dynamic Impedance ZZK(Ω ) Max. Iz (mA) Reverse Current IR(µA) Max. VR (V) Rev. 02 : March 25, 2005 5 50 5 80 0.5 0.1 12 RD18JS 5 65 5 80 0.5 0.1 13 RD20JS 5 85 5 100 0.5 0.1 15 RD22JS 5 100 5 100 0.5 0.1 17 RD24JS 5 120 5 120 0.5 0.1 19 RD27JS 5 150 5 150 0.5 0.1 21 RD30JS 5 200 5 200 0.5 0.1 23 RD33JS 5 250 5 250 0.5 0.1 25 RD36JS 5 300 5 300 0.5 0.1 27 RD39JS 5 360 5 360 0.5 0.1 30 Notes: (1) tested with pulse (40 ms). (2) ZZ and ZZK are measured at IZ by given a very small A.C. current signal. (3) Suffix AB is suffix AB1, AB2 or suffix AB3. Page 3 of 3 Rev. 02 : March 25, 2005
RD24JSAB2
### 物料型号 - 型号:RD4.7JS至RD39JS,这些型号覆盖了从4.7伏到39伏的齐纳电压范围。

### 器件简介 - 这些器件是硅齐纳二极管,具有完整的4.7至39伏特的电压范围,高反向峰值功率耗散能力,高可靠性,低漏电流,且无铅/符合RoHS标准。

### 引脚分配 - 封装类型:DO-34玻璃封装。

### 参数特性 - 最大耗散功率(PD):400毫瓦 - 正向电流(IF):150毫安 - 结温范围(T1):-55至+175摄氏度 - 储存温度范围(Ts):-55至+175摄氏度

### 功能详解 - 这些齐纳二极管具备高反向峰值功率耗散和低漏电流的特点,使其适用于电压稳定和过压保护应用。

### 应用信息 - 由于文档中没有提供具体的应用案例,但通常齐纳二极管用于电压钳位和过压保护。

### 封装信息 - 封装:DO-34玻璃封装,重量约为0.13克,具体的尺寸信息以英寸和毫米给出。
RD24JSAB2 价格&库存

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