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SBT20

SBT20

  • 厂商:

    EIC

  • 封装:

  • 描述:

    SBT20 - SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER DIODES - EIC discrete Semiconductors

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  • 数据手册
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SBT20 数据手册
SBT20 - SBTB0 PRV : 20 - 100 Volts IO : 2.5 Amperes FEATURES : * * * * * * * * High current capability High surge current capability High reliability High efficiency Low power loss Low cost Low forward voltage drop Pb / RoHS Free SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER DIODES D2A 0.161 (4.1) 0.154 (3.9) 1.00 (25.4) MIN. 0.284 (7.2) 0.268 (6.8) 0.040 (1.02) 0.0385 (0.98) 1.00 (25.4) MIN. MECHANICAL DATA : * Case : D2 Molded plastic * Epoxy : UL94V-O rate flame retardant * Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202, Method 208 guaranteed * Polarity : Color band denotes cathode end * Mounting position : Any * Weight : 0.465 gram Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%. Dimensions in inches and ( millimeters ) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS RATING Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage Maximum RMS Voltage Maximum DC Blocking Voltage Maximum Average Forward Current 0.375", 9.5mm Lead Length See Fig.1 Maximum Peak Forward Surge Current, 8.3ms single half sine wave superimposed on rated load (JEDEC Method) Maximum Forward Voltage at IF = 2.5 A (Note 1) Maximum Reverse Current at Rated DC Blocking Voltage (Note 1) Junction Temperature Range Storage Temperature Range SYMBOL VRRM VRMS VDC IF(AV) SBT SBT SBT SBT SBT SBT SBT SBT SB UNIT 20 30 40 50 60 70 80 90 TB0 20 14 20 30 21 30 40 28 40 50 35 50 60 42 60 2.5 70 49 70 80 56 80 90 63 90 100 70 100 V V V A IFSM VF IR TJ TSTG - 65 to + 125 0.5 75 0.74 0.5 - 65 to + 150 - 65 to + 150 0.79 A V mA °C °C Note : (1) Pulse Test : Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle = 2%. Page 1 of 2 Rev. 02 : March 25, 2005 RATING AND CHARACTERISTIC CURVES ( SBT20 - SBTB0 ) FIG.1 - FORWARD CURRENT DERATING CURVE AVERAGE FORWARD CURRENT, AMPERES 2.5 SBT50 THRU SBTB0 FIG.2 - MAXIMUM NON-REPETITIVE PEAK FORWARD SURGE CURRENT 75 2.0 SBT20 SBT30 SBT40 PEAK FORWARD SURGE CURRENT, AMPERES 150 175 60 1.5 45 1.0 30 0.5 15 0 0 0 25 50 75 100 125 1 2 4 6 10 20 40 60 100 LEAD TEMPERATURE, (°C) NUMBER OF CYCLES AT 60Hz FIG.3 - TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS 20 FIG.4 - TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS REVERSE CURRENT, MILLIAMPERES 10 TJ= 100 °C FORWARD CURRENT, AMPERES 10 SBT20 SBT30 SBT40 SBT80 SBT90 SBTB0 1.0 1.0 SBT50 SBT60 SBT70 0.1 TJ = 25 °C TJ = 25 °C PULSE WIDTH = 300µ s DUTY CYCLE = 2% 0.1 0.1 0.01 0 20 40 60 80 100 120 140 0.3 0.5 0.7 0.9 1.1 1.3 1.5 1.7 1.9 2.1 PERCENT OF RATED REVERSE VOLTAGE, (%) FORWARD VOLTAGE, VOLTS Page 2 of 2 Rev. 02 : March 25, 2005
SBT20
### 物料型号 - SBT20 - SBTB0

### 器件简介 该器件是肖特基势垒整流二极管,具有高电流能力、高浪涌电流能力、高可靠性、高效率、低功耗、低成本、低正向电压降,并且不含铅/符合RoHS标准。

### 引脚分配 - 引脚:轴向引脚,可焊性符合MIL-STD-202, 方法208保证 - 极性:色带表示阴极端

### 参数特性 - 最大重复峰值反向电压(VRRM):20V至100V不等,具体取决于型号。 - 最大RMS电压(VRMS):14V至70V不等。 - 最大直流阻断电压(Voc):20V至100V不等。 - 最大平均正向电流(IF(AV)):2.5A(特定条件下)。 - 最大正向峰值浪涌电流(IFSM):75A(特定条件下)。 - 最大正向电压(VF):0.5V至0.79V不等,具体取决于型号。 - 最大反向电流(IR):0.5mA(特定条件下)。 - 结温范围(TJ):-65至+125°C或-65至+150°C不等。 - 储存温度范围(TSTG):-65至+150°C。

### 功能详解 该二极管主要功能是整流,即将交流电转换为直流电。它适用于电阻性或感性负载,对于电容性负载,需要将电流降低20%。

### 应用信息 适用于需要高效率和高可靠性整流的场合,如电源、电机驱动、太阳能光伏等。

### 封装信息 - 封装:D2型塑封 - 环氧树脂:UL94V-0级阻燃 - 安装位置:任意位置 - 重量:0.465克
SBT20 价格&库存

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