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SFT7

SFT7

  • 厂商:

    EIC

  • 封装:

  • 描述:

    SFT7 - SUPER FAST RECTIFIER DIODES - EIC discrete Semiconductors

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SFT7 数据手册
SFT1 - SFT9 PRV : 50 - 1000 Volts Io : 2.5 Amperes FEATURES : * * * * * * * High current capability High surge current capability High reliability Low reverse current Low forward voltage drop Super fast recovery time Pb / RoHS Free SUPER FAST RECTIFIER DIODES D2A 0.161 (4.1) 0.154 (3.9) 1.00 (25.4) MIN. 0.284 (7.2) 0.268 (6.8) MECHANICAL DATA : * Case : D2A Molded plastic * Epoxy : UL94V-O rate flame retardant * Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202, Method 208 guaranteed * Polarity : Color band denotes cathode end * Mounting position : Any * W eight : 0.645 gram 0.040 (1.02) 0.0385 (0.98) 1.00 (25.4) MIN. Dimensions in inches and ( millimeters ) Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%. MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS RATING Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage Maximum RMS Voltage Maximum DC Blocking Voltage Maximum Average Forward Current 0.375"(9.5mm) Lead Length Ta = 55 °C Maximum Peak Forward Surge Current 8.3 ms. Single half sine wave Superimposed on rated load (JEDEC Method) Maximum Peak Forward Voltage at IF = 2.5 A. Maximum DC Reverse Current at Rated DC Blocking Voltage Ta = 25 °C Ta = 100 °C SYMBOL SFT1 SFT2 SFT3 SFT4 SFT5 SFT6 SFT7 SFT8 SFT9 UNIT VRRM VRMS VDC IF(AV) 50 35 50 100 70 100 150 105 150 200 140 200 300 210 300 2.5 400 280 400 600 420 600 800 560 800 1000 700 1000 V V V A IFSM VF IR IR(H) Trr 100 0.95 5.0 50 35 50 - 65 to + 150 - 65 to + 150 1.7 4.0 A V µA µA ns pf °C °C Maximum Reverse Recovery Time ( Note 1 ) Typical Junction Capacitance ( Note 2 ) Junction Temperature Range Storage Temperature Range CJ TJ TSTG Notes : ( 1 ) Reverse Recovery Test Conditions : IF = 0.5 A, IR = 1.0 A, Irr = 0.25 A. ( 2 ) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 VDC Page 1 of 2 Rev. 02 : March 25, 2005 RATING AND CHARACTERISTIC CURVES ( SFT1 - SFT9 ) FIG.1 - REVERSE RECOVERY TIME CHARACTERISTIC AND TEST CIRCUIT DIAGRAM 50 Ω 10 Ω + 0.5 A D.U.T. 50 Vdc (approx) 1Ω PULSE GENERATOR ( NOTE 2 ) OSCILLOSCOPE ( NOTE 1 ) 0 - 0.25 A Trr + - 1.0 A SET TIME BASE FOR 15 ns/cm NOTES : 1. Rise Time = 7 ns max., Input Impedance = 1 megaohm, 22 pF. 2. Rise time = 10 ns max., Source Impedance = 50 ohms. 3. All Resistors = Non-inductive Types. 1 cm FIG.2 - DERATING CURVE FOR OUTPUT RECTIFIED CURRENT 2.5 125 FIG.3 - MAXIMUM NON-REPETITIVE PEAK FORWARD SURGE CURRENT PEAK FORWARD SURGE CURRENT, AMPERES 8.3 ms SINGLE HALF SINE WAVE Ta = 50 °C 100 AVERAGE FORWARD OUTPUT CURRENT, AMPERES 2.0 1.5 75 1.0 50 0.5 60Hz RESISTIVE OR INDUCTIVE LOAD 0 0 25 50 75 100 125 150 175 25 0 1 2 4 6 10 20 40 60 100 AMBIENT TEMPERATURE, ( °C) NUMBER OF CYCLES AT 60Hz FIG.4 - TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS REVERSE CURRENT, MICROAMPERES FIG.5 - TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS 100 SFT1 - SFT4 SFT5 - SFT7 10 TJ = 100 °C FORWARD CURRENT, AMPERES 10 SFT8 - SFT9 1.0 1.0 Pulse Width = 300 µ s 2% Duty Cycle TJ = 25 °C 0.1 0.1 TJ = 25 °C 0.01 0 20 40 60 80 100 120 140 PERCENT OF RATED REVERSE VOLTAGE, (%) 0.01 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 FORWARD VOLTAGE, VOLTS Page 2 of 2 Rev. 04+CF35 : March 25, 2005
SFT7
### 物料型号 - 型号:SFT1至SFT9N,表示不同的电压等级。

### 器件简介 - 这是一系列超快速整流二极管,具有高电流能力和高浪涌电流能力,同时具备高可靠性、低反向电流和低正向电压降等特性。

### 引脚分配 - 引脚:轴向引脚,可焊接,符合MIL-STD-202方法208保证。

### 参数特性 - 最大重复峰值反向电压(VRRM):50至1000伏不等。 - 最大RMS电压(VRMS):35至700伏不等。 - 最大直流阻断电压(VDC):50至1000伏不等。 - 最大平均正向电流(IF(AV)):在特定条件下为2.5安培。 - 最大峰值正向浪涌电流(IFSM):在特定条件下为100安培。 - 最大正向电压(VF):在2.5安培正向电流下,不同型号有不同的电压降。 - 最大反向电流(IR):在额定直流阻断电压下,25°C时为5.0微安,100°C时为50微安。 - 最大反向恢复时间(Trr):35纳秒。 - 典型结电容(CJ):50皮法拉。

### 功能详解 - 这些二极管适用于单相、半波、60赫兹的电阻性或感性负载。对于电容性负载,需要降低20%的电流。

### 应用信息 - 这些超快速整流二极管适用于需要高电流和高浪涌电流能力的场合,如电源整流、电机控制和变频器等。

### 封装信息 - 封装:D2A塑封。 - 环氧树脂:UL94V-0级阻燃。 - 引脚:轴向引脚,可焊接。 - 尺寸:以英寸和毫米给出。 - 极性:色环表示阴极端。 - 安装位置:任意。 - 重量:0.645克。

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