US1K

厂商：
EIC
封装：
描述：
US1K - SURFACE MOUNT ULTRA FAST RECTIFIERS - EIC discrete Semiconductors

数据手册：

下载US1K.pdf

立即购买

详情介绍
数据手册
价格&库存

US1K 数据手册

TH97/10561QM TW00/17276EM IATF 0060636 SGS TH07/1033 US1A - US1M PRV : 50 ~ 1000 Volts Io : 1.0 Ampere FEATURES : * * * * * * High surge current capability High reliability Low reverse current Low forward voltage drop Fast switching for high efficiency Pb / RoHS Free SURFACE MOUNT ULTRA FAST RECTIFIERS SMA 1.3 ± 0.2 5.3 ± 0.35 4.2 ± 0.25 2.3 ± 0.2 1.6 ± 0.25 2.6 ± 0.15 MECHANICAL DATA : * Case : SMA Molded plastic * Epoxy : UL94V-O rate flame retardant * Polarity : Color band denotes cathode end * Mounting position : Any * Weight : 0.060 gram (Approximately) 1.6 ± 0.25 Dimensions in millimeters MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%. RATING Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage Maximum RMS Voltage Maximum Continuous Reverse Voltage Maximum Average Forward Current Maximum non-repetitive peak forward current 8.3ms Single half sine wave, Maximum Instantaneous Forward Voltage at I F = 1.0 A Maximum DC Reverse Current at Rated DC Blocking Voltage Maximum Reverse Recovery Time Typical Junction Capacitance Junction Temperature Range Storage Temperature Range Notes : (2) (1) SYMBOL US1A VRRM VRMS VR IF(AV) IFSM VF IR IR(H) Trr CJ TJ TSTG 50 35 50 US1B 100 70 100 US1D US1G 200 140 200 400 280 400 1.0 30 US1J 600 420 600 US1K US1M 800 560 800 1000 700 1000 UNIT V V V A A 1.1 10 50 50 15 - 65 to + 175 - 65 to + 175 1.7 V μA μA Ta = 25 °C Ta = 100 °C 75 10 ns pF °C °C (1) Reverse Recovery Test Conditions : IF = 0.5 A, IR = 1.0 A, Irr = 0.25 A. (2) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 VDC Page 1 of 2 Rev. 06 : September 23, 2008 TH97/10561QM TW00/17276EM IATF 0060636 SGS TH07/1033 RATING AND CHARACTERISTIC CURVES ( US1A - US1M ) FIG.1 - REVERSE RECOVERY TIME CHARACTERISTIC AND TEST CIRCUIT DIAGRAM 50 Ω 10 Ω + 0.5 A D.U.T. 0 PULSE GENERATOR ( NOTE 2 ) 1Ω OSCILLOSCOPE ( NOTE 1 ) - 0.25 A Trr + 50 Vdc (approx) - 1.0 A SET TIME BASE FOR 25-35 ns/cm 1 cm NOTES : 1. Rise Time = 7 ns max., Input Impedance = 1 megaohm, 22 pF. 2. Rise time = 10 ns max., Source Impedance = 50 ohms. 3. All Resistors = Non-inductive Types. FIG.2 - DERATING CURVE FOR OUTPUT RECTIFIED CURRENT 1.0 30 FIG.3 - MAXIMUM NON-REPETITIVE PEAK FORWARD SURGE CURRENT AVERAGE FORWARD OUTPUT CURRENT, (A) 0.8 PEAK FORWARD SURGE CURRENT, (A) Ta = 50 °C 24 0.6 18 0.4 12 0.2 60Hz RESISTIVE OR INDUCTIVE LOAD 0 0 25 50 75 100 125 150 175 6 8.3 ms SINGLE HALF SINE WAVE 0 1 2 4 6 10 20 40 60 100 LEAD TEMPERATURE, ( °C) FIG.4 - TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS 100 10 NUMBER OF CYCLES AT 60Hz FIG.5 - TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS FORWARD CURRENT, (A) REVERSE CURRENT, (µA) TJ = 100 °C 10 US1A - US1G US1J - US1M 1.0 1.0 0.1 TJ = 25 °C 0.1 TJ = 25 °C Pulse Width = 300 μs 1% Duty Cycle 0.01 0.3 0.6 0.9 1.2 1.5 1.8 2.1 2.4 2.7 3.0 3.3 0.01 0 20 40 60 80 100 120 140 PERCENT OF RATED REVERSE VOLTAGE, (%) FORWARD VOLTAGE, (V) Page 2 of 2 Rev. 06 : September 23, 2008

下载 PDF

US1K

1. 物料型号： - 型号包括US1A、US1B、US1D、US1G、US1J、US1K和US1M。

2. 器件简介： - 该器件是表面贴装超快速整流器，具有高浪涌电流能力、高可靠性、低反向电流、低正向电压降、快速开关以提高效率，且无铅/无RoHS。

3. 引脚分配： - 文档中提到极性由色带表示阴极端，安装位置为任意。

4. 参数特性： - 最大重复峰值反向电压（VRRM）：50至1000伏不等。 - 最大RMS电压（VRMS）：35至700伏不等。 - 最大连续反向电压（VR）：50至1000伏不等。 - 最大平均正向电流（IF(AV)）：1.0安培。 - 最大非重复峰值正向电流（IFSM）：30安培（US1B型号）。 - 最大正向电压在1.0A时（VF）：1.1至1.7伏不等。 - 最大直流反向电流（IR）：10毫安（25°C时）。 - 额定直流阻断电压下的最大反向恢复时间（Trr）：50至75纳秒不等。 - 典型结电容（CJ）：10至15皮法拉。 - 结温范围（T）：-65至+175摄氏度。 - 存储温度范围（TSTG）：-65至+175摄氏度。

5. 功能详解： - 器件具有高浪涌电流能力、高可靠性、低反向电流、低正向电压降、快速开关以提高效率。

6. 应用信息： - 适用于需要超快速整流的应用场合。

7. 封装信息： - 封装为SMA模塑塑料，环氧树脂为UL94V-0级阻燃。

US1K 价格&库存

-> 查询更多价格&库存

很抱歉，暂时无法提供与“US1K”相匹配的价格&库存，您可以联系我们找货

免费人工找货