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EL7563CRE-T13

EL7563CRE-T13

  • 厂商:

    ELANTEC

  • 封装:

  • 描述:

    EL7563CRE-T13 - Monolithic 4 Amp DC:DC Step-down Regulator - Elantec Semiconductor

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
EL7563CRE-T13 数据手册
EL7563CRE-T13
1. 物料型号: - EL7563CM:20-Pin SO (0.300”) 封装,MDP0027胶带和卷轴外形。 - EL7563CM-T13:20-Pin SO (0.300”) 封装,13英寸MDP0027胶带和卷轴外形。 - EL7563CRE-T7:28-Pin HTSSOP封装,MDP0048胶带和卷轴外形。 - EL7563CRE-T13:28-Pin HTSSOP封装,13英寸MDP0048胶带和卷轴外形。

2. 器件简介: - EL7563C是一款集成的、全功能的同步降压调节器,输出电压可从1.0V调节至2.5V,能够以高达95%的效率持续输出4A电流。该器件在恒定频率脉宽调制(PWM)模式下工作,允许外部同步。专利的无电阻电流感应技术实现了电流模式控制,提供了逐周期电流限制、过电流保护和出色的负载步响应。EL7563C具有电源跟踪功能,使得多个转换器的启动顺序成为可能。结温指示器方便地监测硅片温度,节省了设计师在繁琐的热特性化上的时间。EL7563C适用于桌面和便携应用,并且在整个-40°C至+85°C的温度范围内都有规定。

3. 引脚分配: - 1号引脚:VREF,带隙参考旁路电容器,典型值为0.1pF至SGND。 - 2号引脚:SGND,控制电路负电源或信号地。 - 3号引脚:COSC,振荡器定时电容器(详见性能曲线)。 - 4号引脚:VDD,控制电路正电源;通常通过RC滤波器连接至VIN。 - 5号引脚:VTJ,结温监视器;与2.2nF至3.3nF连接至SGND。 - 6号引脚:PGND,调节器地返回;连接至低端同步NMOS功率FET的源极。 - 7号引脚:PGND,同6号引脚。 - 8号引脚:VIN,调节器的电源输入,连接至高端NMOS功率FET的漏极。 - 9号引脚:STP,辅助电源跟踪正输入;与调节器输出同步启动第二电源,独立操作时留空;内部下拉电流为2uA。 - 10号引脚:STN,辅助电源跟踪负输入;连接至第二电源的输出以同步启动;独立操作时留空;内部上拉电流为2A。 - 11至13号引脚:PGND,同6号引脚。 - 14至15号引脚:LX,电感驱动引脚;高电流输出,其平均电压等于调节器输出电压。 - 16号引脚:VHI,高端驱动的正电源,通过外部0.22uF电容器从VDRV至LX自举。 - 17号引脚:VDRV,低端驱动的正电源和高端自举的输入电压。 - 18号引脚:PG,良好电源窗口比较器输出;逻辑1时表示调节器输出在目标输出电压的+10%范围内。 - 19号引脚:FB,电压反馈输入,连接至VOUT和SGND之间的外部电阻分压器;12SnA上拉电流在FB浮动时将VOUT拉至SGND。 - 20号引脚:EN,芯片使能,高有效;如果引脚留空,内部上拉电流2uA使设备启用;可以在该引脚添加电容器以延迟转换器的启动。

4. 参数特性: - 参考精度(VREF):1.24V至1.28V。 - 参考温度系数(VREFTC):50ppm/°C。 - 参考负载调节(VREFLOAD):-1%。 - 振荡器斜坡幅度(VRAMP):1.15V。 - 振荡器充电电流(Lose CHG):200µA。 - 振荡器放电电流(Losc DIs):8mA。 - VDp+VDRV供电电流(IVDp+VDRV):3.5mA。 - Vpp待机电流(IVDD OFF):1µA。 - Vpp关闭电压(Vpp for Shutdown):2.65V。 - Vpp启动电压(VDD ON):2.6V至2.95V。 - 过温阈值(Tor):135°C。 - 过温滞后(THYS):20°C。 - 内部FET漏电流(ILEAK):10µA。 - 峰值电流限制(ILMAX):5A。 - FET导通电阻(RDSON):30mΩ至60mΩ。 - RDSON温度系数(RDSONTC):0.2mΩ/°C。 - 辅助供电跟踪正输入下拉电流(ISTP):2.5µA。 - 辅助供电跟踪负输入上拉电流(ISTN):2.5µA至4µA。 - 正电源良好阈值(VPGP):8%至16%。 - 负电源良好阈值(VPGN):-8%至-16%。 - 电源良好驱动高电平(VPGHI):未提供。 - 电源良好驱动低电平(VPG LO):0.5V。 - 过压保护(VoVP):10%。 - 输出初始精度(VFB):0.977V至1.007V。 - 输出线压调节(VFB LINE):0.5%。 - 输出负载调节(VFB LOAD):0.5%。 - 输出温度稳定性(VFB TC):±1%。 - 反馈输入上拉电流(IFB):100nA至200nA。 - EN输入高电平(VEN HI):2.7V。 - EN输入低电平(VEN LO):1V。 - 使能上拉电流(IEN):-2.5µA。

5. 功能详解: - EL7563C通过电流模式控制的脉宽调制调节输出电压。该器件包含7个主要模块:PWM控制器、NMOS功率FET和驱动电路、带隙参考、振荡器、温度传感器、电源良好和电源开启复位、辅助供电跟踪。 - PWM控制器通过反馈环路和参考信号、脉宽调制器以及平均逻辑级调制器输出的滤波器来调节输出电压。 - 输出电压设置公式为:\[V_{OUT} = 0.992V \times \left(1 + \frac{R_2}{R_1}\right)\]。 - NMOS功率FET和驱动电路集成了低导通电阻(30mΩ)的NMOS FET,以实现4A时的高效率。 - 带隙参考集成了1.5%的温度补偿带隙参考。 - 振荡器由内部松弛振荡器生成系统时钟,可通过COSC引脚或外部源调整工作频率。 - 结温传感器持续监测芯片温度,超过热故障点时系统将关闭。 - 电源良好和电源开启复位在电源开启时将禁用输出调节器,直至VIN达到约2.9V。 - 辅助供电跟踪通过STP和STN引脚实现。

6. 应用信息: - EL7563C适用于DSP核心电源、逻辑/总线电源、便携设备、DC:DC转换模块、GTL+总线电源等应用。
EL7563CRE-T13 价格&库存

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