ELM14800AA-N

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ELM-TECH
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ELM14800AA-N - Dual N-channel MOSFET - ELM Technology Corporation

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30 10V 25 4.5V 20 3V 20 16 2.5V 12 8 Vds=5V Id (A) 15 10 5 0 0 1 2 3 4 5 Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics Vgs=2V Id (A) 125°C 4 25°C 0 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 Vgs (Volts) Figure 2: Transfer Characteristics 60 50 Vgs=2.5V 1.7 Normalized On-Resistance 1.6 1.5 1.4 1.3 1.2 1.1 1 0.9 Id=5A Vgs=4.5V Vgs=10V Rds(on) (m: ) 40 30 20 10 0 5 10 15 20 Id (Amps) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage Vgs=4.5V Vgs=2.5V Vgs=10V 0.8 0 50 100 150 200 Temperature ( °C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 70 60 1.0E+01 Id=5A Is Amps 1.0E+00 1.0E-01 125°C Rds(on) (m: ) 50 40 30 20 10 0 2 4 6 8 10 Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 25°C 125°C 1.0E-02 1.0E-03 1.0E-04 1.0E-05 1.0E-06 0.00 25°C 0.25 0.50 0.75 1.00 1.25 1.50 Vsd (Volts) Figure 6: Body diode characteristics 5 4 1500 Vds=15V Id=6.9A 1250 f=1MHz Vgs=0V Ciss Capacitance (pF) Vgs (Volts) 1000 750 500 250 0 Coss 3 2 1 0 0 2 4 6 8 10 12 Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge characteristics Crss 0 5 10 15 20 25 30 Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics 100.0 Rds(on) limited Tj(max)=150°C Ta=25°C 1ms 10ms 0.1s 1.0 1s 10s DC 0.1 0.1 1 Vds (Volts) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note E) 10 100 100 Ps 40 Tj(max)=150°C Ta=25°C 30 Id (Amps) 10.0 Power W 20 10 0 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note E) 10 ZTja Normalized Transient Thermal Resistance D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.ZTja.RTja RTja=62.5°C/W 1 In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 0.1 Pd Ton Single Pulse T 0.01 0.1 1 10 100 1000 0.01 0.00001 0.0001 0.001 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance

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ELM14800AA-N

### 物料型号 - 型号：ELM14800AA-N

### 器件简介 - ELM14800AA-N是一款采用先进沟槽技术的双N沟道MOSFET，具有出色的Rds(on)和低栅极电荷特性。

### 引脚分配 - SOP-8封装： - Pin 1: SOURCE2 - Pin 2: GATE2 - Pin 3: SOURCE1 - Pin 4: GATE1 - Pin 5: DRAIN1 - Pin 6: DRAIN1 - Pin 7: DRAIN2 - Pin 8: DRAIN2

### 参数特性 - 最大绝对额定值： - 漏源电压(Vds)：30V - 栅源电压(Vgs)：+12V - 连续漏电流(Id)：6.9A（25°C时）/ 5.8A（70°C时） - 脉冲漏电流(Idm)：40A - 功率耗散(Pd)：2.00W（25°C时）/ 1.44W（70°C时） - 结温和存储温度范围(Tj, Tstg)：-55至150°C

- 热特性： - 最大结到环境热阻(Rθja)：48.0°C/W（t≤10s）/ 74.0°C/W（稳态） - 最大结到引线热阻(Rθjl)：35.0°C/W（稳态）/ 40.0°C/W

### 功能详解 - 电气特性： - 漏源击穿电压(BVdss)：30V - 零栅压漏电流(Idss)：0.002μA至1.000μA - 栅体漏电流(Igss)：100nA - 栅阈值电压(Vgs(th))：0.7V至1.4V - 导通状态漏电流(Id(on))：25A至27.0mΩ（Vgs=10V时） - 静态漏源导通电阻(Rds(on))：22.6mΩ至50.0mΩ - 前向跨导(Gfs)：12S至16S - 二极管正向电压(Vsd)：0.71V至1.00V - 最大体二极管连续电流(Is)：3A

- 动态参数： - 输入电容(Ciss)：858pF至1050pF - 输出电容(Coss)：110pF - 反向传输电容(Crss)：80pF - 栅电阻(Rg)：1.24Ω至3.60Ω

- 开关参数： - 总栅极电荷(Qg)：9.60nC至12.00nC - 栅源电荷(Qgs)：1.65nC - 栅漏电荷(Qgd)：3.00nC - 导通延迟时间(td(on))：3.2ns至4.8ns - 导通上升时间(tr)：4.1ns至6.2ns - 关闭延迟时间(td(off))：26.3ns至40.0ns - 关闭下降时间(tf)：3.7ns至5.5ns - 体二极管反向恢复时间(trr)：15.5ns至20.0ns - 体二极管反向恢复电荷(Qrr)：7.9nC至12.0nC

### 应用信息 - 该器件适用于需要低导通电阻和快速开关的应用，如电源管理、电机控制和汽车电子。

### 封装信息 - SOP-8封装：8引脚小外型封装，适用于表面贴装技术。

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